造出EUV光刻机?中国如何突破
具体工作时，硅片表面会覆盖一层光刻胶，用紫外光等光线，透过掩模版（刻有电路图案的板子）照射在硅片表面，光刻胶会发生反应，将掩模版上的图案复制到硅片上，之后洗去光刻胶，就能实现半导体器件在硅片表面的构建。半导体技术要升级，主要看晶体管中的沟道长度能不能进一步缩小，从7nm、5nm再到3nm。而想要把晶体
中国光刻机大突破!绕开ASML EUV封锁,已有2个方案了~
ASML那家荷兰公司垄断了EUV技术，专攻7nm以下的精细活儿，可他们不卖给咱们，出口管制卡得死死的。这不，今年8月，中国团队直接亮出两张王牌：纳米压印和电子束光刻，俩方案都绕过了EUV的专利墙。封锁下的弯道超车逻辑 光刻机本质上是给硅片上“画电路”的机器，EUV用极紫外光，精度高到能搞2nm芯片，但成本高、...
中国EUV光刻机技术突破与现状解析
2025年第三季度,中国7nm EUV光刻机试产启动,绕开ASML专利的关键技术突破,能否改写半导体格局?0 4 发表评论 发表 作者最近动态 c204693 2025-11-13 克菌丹与苯甲吡唑酯混用风险解析克菌丹与...全文 +2 c204693 2025-11-13 宁德时代vs亿纬锂能:动力储能对比宁德...全文 +1 c204693 2025-11-13 六氟磷...
302 中国突破EUV光刻机,最新研发进展_哔哩哔哩_bilibili
47% 暴跌!日本光刻机成废铁?中国 28 纳米机交付现场曝光,阿斯麦急了日本封锁三年反被抄家!国产光刻机让尼康亏到哭藏不住了!中国 DUV 光刻机干翻 EUV 2790 1 05:51 App 绕开光刻机,中国又一次实现芯片突破! 9701 2 09:43 App 中国造不出光刻机?直接造出来光刻工厂!网友直接蒙了! 2345 0 00:43 App...
7年秘密研发,中国光刻机如何突破西方技术封锁?
而是整个半导体生态链的全面突围。当第七台国产光刻机在张江高科技园区下线时，其40秒的晶圆循环速度已接近ASML2020年水平。从65nm到28nm，再到专利显示的EUV技术储备，中国正用每年迭代一代的速度改写游戏规则。这场突破背后，是无数工程师用电子显微镜般精细的耐心，在纳米尺度上雕刻出的国家科技防线。
中国突破14纳米芯片!桌面光刻机打破美国封锁
“卡脖子”？不存在的！就在美国执意对华实施半导体技术封锁、试图用设备禁令限制中国发展之时，我们已经悄然跳出传统赛道，在芯片的战场上，走出了足以改写全球格局的关键两步：一边啃下主流制造的硬骨头，一边抢占下一代技术的制高点，每一步，都精准踏在美国技术霸权的痛点上。过去一提芯片制造，总绕不开EUV光刻机...
国产EUV光刻机技术突破与挑战全解析
中国EUV光刻机突破ASML垄断,但量产良率仍是最大挑战!疑似使用AI生成,请谨慎甄别 0 0 发表评论 发表 作者最近动态 晶芯社 2025-12-22 中国EUV光刻机技术突破解析中国EUV...全文 +1 晶芯社 2025-12-22 新凯来半导体设备量产与技术突破新凯来正...全文 +2 晶芯社 2025-12-22 苹果M3芯片性能特点 核心性能...
ASML被打脸!国产“三路突围”,反击西方技术封锁,垄断或终结了
01 垄断和压制下，中国如何反攻？荷兰ASML公司凭借对核心技术的牢牢掌控，以及排他性的供应链体系，垄断了全球顶尖的EUV光刻机市场。在全球范围内，若要制造7nm以下的高端芯片，几乎都离不开EUV光刻机。包括中国在内的众多半导体生产厂商，如英特尔、三星、台积电等，都在一定程度上受到其制约。令人颇为无奈的是，在...
中国光刻机突破背后:从0到1的突破如何破解西方封锁?
2025年下半年，中国在两条技术路线上同时取得突破：浙江亮相的羲和电子束光刻机，采用非传统EUV路线却实现8纳米线宽；上海微电子交付的28纳米浸润式光刻机，标志着国产设备从“实验室”走向“生产线”。更关键的是合肥科研机构的桌面级EUV光源——作为EUV光刻机的“心脏”，这一步让中国摸到了高端光刻机的基础物理...
EUV光刻机:芯片制造的巅峰较量,中国如何突围技术壁垒?
拨开技术这层迷雾，先来看这台“光雕机”最有趣的部分：它如何用13.5nm的极紫外光刻画出比头发丝还小万倍的电路？说简单点，EUV光刻机就像一支超高精度的“神笔马良”，用极紫外光源把芯片表面上那密密麻麻的电路图精确投影并刻印下来。但要实现这个过程，核心问题就三点：光、镜、控。光是极紫外光源，波长短...
国产EUV光刻机突破,2大新路线,绕开ASML封锁
EUV光刻机是造7nm以下芯片的刚需，可ASML的EUV死活不卖给我们。要自己研发EUV？难。ASML早用专利把路堵死了，还绑着一串核心供应链企业。不过最近传来好消息：咱们没硬刚EUV，而是换了条赛道，在两个新方向上有了实质突破。第一个方向是纳米压印技术。前阵子璞璘科技自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备，已经
中国光刻机技术突破与产业进展
中国光刻机突破绕开EUV封锁!5nm以下制程、成本仅EUV十分之一,2025年已交付超300家企业。疑似使用AI生成,请谨慎甄别 0 0 发表评论 发表 作者最近动态 智造杨工坊 2025-11-08 白菜施肥技巧:基肥与追肥关键期掌握基肥...全文 +2 智造杨工坊 2025-11-08 端承桩与摩擦桩核心对比解析💬你负责的项...全文 +...
中国光刻机大突破!绕开ASML EUV封锁,已有2个方案了
所以，我们必须研发出自己的EUV光刻机，但要研发自己的EUV很困难，是因为ASML已经用专利设置了壁垒，甚至还捆绑了一系列的核心供应链。在这样的情况之下，我们也可以换其它的路，绕开ASML对EUV专利、技术的封锁。而近日，根据媒体报道，我们已经在两个方面上有了突破，且有了成果，不只是理论上的。第一个方向，纳米...
逆袭之路,中国科学家突破光刻机限制,走出芯片自主研制新路径
这秘籍啊，说白了就是一套全新的芯片制造技术，不用EUV光刻机，也能达到甚至超越那些用EUV光刻机造出来的芯片性能。这消息一传出来，那可是炸了锅了！老美那边，眼珠子都快瞪出来了，心想：“这怎么可能？咱们封锁了这么多年，他们怎么还能突破？”可事实就是事实，咱们中国科学家，用实力说话，用成果打脸。他们...
中国EUV光刻机之路
EUV光刻机的技术高山 n n极紫外光刻机堪称现代工业皇冠上的明珠 其研发涉及超精密光学 真空等离子体等20多个学科交叉 目前全球仅个别企业掌握整套技术 中国要实现自主突破需攻克三大难关 波长13.5nm的稳定光源 反射率超90 的镀膜镜组 每秒震动控制纳米级的工件台 ...
中国EUV光刻机突破!13.5纳米极紫外光背后的技术长征与全球变局
欧洲技术保护升级：德国通过《关键技术保护法》，将光刻机核心部件纳入出口管制 ASML战略调整：加速推出每瓦特性能提升30%的高NA EUV机型，构筑新壁垒 美国政策转向：商务部考虑扩大DUV设备限售范围，但遭英特尔等企业强烈反对 《经济学人》在最新封面报道中警告："当中国用全国之力追赶时，西方技术封锁正变成自主创新的...
中国光刻机重大突破!绕过ASML EUV封锁,已有两个方案
浙江大学的"羲之"电子束光刻机（EBL）精度达0.6nm，线宽8nm。它像一支纳米级画笔，无需掩膜版就能在硅晶圆上直接刻画电路。对比ASML第一代EUV光刻机（线宽13nm），"羲之"在精度上已实现反超，尽管量产效率暂不如EUV，但为小批量先进制程芯片提供了国产化路径。> 技术短板与突破意义：两者目前生产效率较低，但...
重大突破!国产光刻机0.6纳米精度,打破技术封锁
在杭州城西科创大走廊,浙江大学团队研发的100kV电子束光刻机“羲之”,以其0.6纳米精度、8纳米线宽的卓越性能,向国际光刻机巨头发起了强有力的挑战。这台专为量子芯片设计的“中国刻刀”,不仅打破了国外技术封锁,更标志着中国在高端光刻机领域实现了关键性...