俄罗斯公布EUV光刻机路线图
俄罗斯科学院微结构物理研究所（通过Dmitrii Kuznetsov）公布了一项关于本土11.2纳米波长极紫外（EUV）光刻工具的长期路线图，这是对该组织去年12月所分享信息的补充。这个新项目从2026年开始，将使用40纳米制造技术，并延伸至2037年，届时将整合亚10纳米的制造工艺。最新的路线图比之前的一些看起来更现实，但其可
俄罗斯公布EUV光刻机路线图_财富号_东方财富网
近日,俄罗斯科学院微结构物理研究所正式发布国产极紫外(EUV)光刻设备长期发展路线图,明确以11.2纳米工作波长为核心技术方向,计划通过差异化路径突破全球光刻设备技术垄断。该路线图延续了该机构2024年12月披露的研发框架,以2026年为起点,至2037年实现10纳米以下制程覆盖,其务实的阶段规划引发业界关注,但技术可行性与产业化...
俄罗斯光刻机路线图曝光:2036年底前完成EUV光刻机研发! - 知乎
9月28日消息,俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov近日通过X平台曝光了俄罗斯最新的光刻机研发路线图,显示俄罗斯最快将在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机的研发,2032年前完成28nm分辨率的光刻机的研发,并最终在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光(EUV)光刻机的研发。 其实,早在2024年12...
挑战ASML,俄罗斯公布国产极紫外光刻设备长期路线图_凤凰网
IT之家 9 月 28 日消息,据 Tom's Hardware 报道,俄罗斯科学院微结构物理研究所(由德米特里・库兹涅佐夫披露)公布了一项国产极紫外(EUV)光刻设备的长期路线图,该设备工作波长为 11.2 纳米,是对该机构去年 12 月披露信息的补充与延伸。新项目周期始于 2026 年,初期将采用 40 纳米制造技术,最终延伸至 2037 年,...
三步走冲顶亚10nm!俄罗斯公布EUV光刻机路线图_手机新浪网
俄罗斯公布EUV光刻机路线图 俄罗斯科学院微结构物理研究所(通过德米特里・库兹涅佐夫)制定了一套国产极紫外(EUV)光刻设备的长期路线图,该设备工作波长为11.2纳米,扩展了该机构去年12月披露的信息。新项目从2026年启动,初期采用40nm制造技术,计划延续至2037年,最终集成亚10nm制造工艺。这份最新路线图相比此前方案显得更...
俄罗斯国产光刻机路线图曝光:三步走、2036年前完成EUV_ZAKER新闻
快科技 9 月 28 日消息,据报道,俄罗斯计算机与数据科学博士 Dmitrii Kuznetsov 近日分享了俄罗斯最新光刻机研发路线图。 根据该路线图,俄罗斯最终目标是在 2036 年前完成可用于 10nm 以下先进制程的极紫外线(EUV)光刻机的研发。 具体来看分为三个主要阶段: ...
俄罗斯EUV光刻机路线图曝光:技术封锁下的“曲线超车”启示录
光学系统升级路径暴露了俄罗斯的真实技术野心：双反射镜（10nm精度）→四反射镜（5nm）→六反射镜（2nm）。每增加两面反射镜，就意味着镜面抛光精度要向原子级逼近一步。清华大学精密仪器系专家指出，这种递进恰恰说明基础光学研究才是突破光刻瓶颈的关键。华为2023年研发投入中30%用于基础学科的决策，与俄罗斯的光学...
俄罗斯放大招了?自研EUV光刻机,11.2nm光源,比ASML更先进
而光刻工艺下，最重要的设备就是光刻机，而光刻机与芯片制程，也是一一对应的。如下图所示，不同的光刻机，采用不同的光源，对应不同的工艺制程。目前最先进的是EUV光刻机，采用13.5nm波长的光源，可以制造7nm及以下的芯片。而EUV光刻机，全球仅ASML一家能够制造出来，其它所有厂商，都无法制造。而ASML又听话...
俄自研EUV光刻机曝光:11.2nm光源,每小时可处理60片12吋晶圆
12月20日消息，据Cnews报导，俄罗斯已公布自主研发的光刻机路线图，目标是打造比ASML 系统更经济的EUV光刻机。这些光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的标准13.5nm波长。因此，新技术无法与现有EUV 基础设施相容，需要俄罗斯自行开发配套的曝光生态系统，可能需要数年甚至十年以上时间。该光刻机...
外媒:EUV格局发生反转了
据俄罗斯媒体报道，俄方的EUV光刻机技术实现了突破。俄方公布了最新的自主研发光刻机的路线图，通过最新的11.2nm的镭射光源，这种EUV光刻机的分辨率将提升20%左右。对比ASML采用的13.5nm光源，俄方的EUV技术要更加先进。毕竟光源越短，分辨率越高，那么光刻机的工艺就越先进，生产出来的芯片就越先进。虽然俄方...
俄罗斯也要自研EUV光刻机...@IT数码爱好者的动态
俄罗斯也要自研EUV光刻机? 近日,俄罗斯公布了自主开发EUV光刻机的路线图,而且目标比是ASML的光刻机更便宜、更容易制造。看到这个新闻,我都不太敢相信。俄乌战争都快打三年了,西方对俄罗斯把能制裁的都制裁了,能封锁的都封锁了,结果,这种高精尖的工业明珠还有精力和技术自研? 该项目是由俄罗斯科学院微结构物理研究所领导,开发
要造EUV光刻机,俄罗斯路线图曝光
据CNews报道，俄罗斯公布了开发自己的光刻机的路线图，旨在制造比 ASML 系统成本更低、更复杂的设备。这些机器将使用波长为 11.2 nm的激光器，而不是 ASML 使用的标准 13.5 nm。该波长与现有的 EUV 基础设施不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可能需要数年甚至十年或更长时间。波长为 11.2nm 的...
中俄科学家的无掩模 EUV光刻机计划 - 知乎
2024年12月19日消息,据报道,俄罗斯已公布自主开发EUV(极紫外光刻)光刻机的路线图,目标是比ASML的光刻机更便宜、更容易制造。该项目由俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导,目的是制造性能具竞争力且具成本优势的EUV光刻机,以对抗ASML的设备。
EUV光刻机技术路径(2025.3) - 知乎
当前国内采取多路线并行策略:短期以改进DUV工艺结合无掩膜技术过渡,中长期聚焦LDP和DPP光源突破,同时储备FEL技术。若LDP或DPP实现功率与稳定性突破,将颠覆ASML主导的LPP技术格局。 发布于 2025-03-17 09:29・江苏 EUV光刻机 半导体 赞同2添加评论 分享喜欢收藏申请转载 写下你的评...
震怖!俄罗斯宣布自研EUV光刻机:比ASML更便宜、更容易制造!_哔哩...
据俄罗斯科技媒体CNews日前最新报道,近日俄罗斯已经正式公布了自主开发EUV(极紫外光刻)光刻机的路线图,目标是比ASML(阿斯麦)的光刻机更便宜、更容易制造。 报道指出,俄罗斯的自主光刻机将采用11.2nm的激光光源,而非阿斯麦标准的13.5nm。这种波长将与现有的EUV设备不兼容,需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统,这至少可能...
俄自研EUV光刻机,打破ASML垄断,走出了一条新路
这意味着在ASML在EUV光刻机上，将遭遇俄罗斯的挑战，其无可取代的地位有可能被动摇。绕开ASML的EUV光刻机路线，是全球多个国家都在做的事情，包括日本与中国，还在尝试BLE电子束光刻技术，X射线光刻技术，纳米压印技术。而俄罗斯其高性能X射线光刻发展新概念无疑走出了一条新路。从EUV光刻机技术突破，可以看到...
俄罗斯宣布自研EUV光刻机:比ASML更便宜、更容易制造!_凤凰网
快科技12月19日消息,据报道,俄罗斯已公布自主开发EUV(极紫外光刻)光刻机的路线图,目标是比ASML的光刻机更便宜、更容易制造。 据悉,俄罗斯的自主光刻机采用11.2nm的激光光源,而非ASML标准的13.5nm。这种波长将与现有的EUV设备不兼容,需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统,这可能需要十年或更长时间。
俄罗斯将自研光刻机!宣称比ASML便宜_手机新浪网
俄罗斯已经公布了自主开发EUV光刻机的路线图,其目标是制造出比ASML更便宜、更易制造的光刻机。该项目由俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导。 俄罗斯的光刻机将采用11.2nm的激光光源,与ASML标准的13.5nm不同,这种波长的改变将提高分辨率20%,简化设计并降低光学元件成本。由于11.2nm波长与现有EUV设备不...
AI芯天下丨趋势丨俄罗斯芯片自研突破,死磕光刻机—维科号
未来,俄罗斯有望在全球芯片制造竞争中占据一席之地,成为新兴市场的重要参赛者。俄罗斯绕开ASML的技术钳制,对于我国半导体产业的发展也是一个启发。 内容来源于:企鹅号 - 知享家:荷日韩中争锋:全球光刻机产业格局揭秘;EETOP:俄罗斯放话:击败ASML ! 俄制高性能光刻机路线图曝光!;搜狐:俄自研EUV光刻机,打破ASML垄断,...
俄自研EUV光刻机,剑指ASML垄断,科技新路震撼开启
避开ASML的EUV光刻机路线，是许多国家都在积极实践的策略，其中包括日本和中国。此外，还在积极探索BLE电子束光刻技术、X射线光刻技术和纳米压印技术等替代方案。而俄罗斯则提出了高性能X射线光刻发展新概念，无疑开辟了一条全新的道路。通过EUV光刻机技术的突破，我们可以看到俄罗斯科学研究与高技术产业的发展似乎正在...