中科院重磅官宣,ASML始料未及,外媒:中国开始关闭EUV的大门
让人感到振奋的是，就在2025年3月，中国科学院突然重磅宣布，已成功研发出了全固态深紫外（DUV）激光光源技术。这一消息瞬间引爆了业界，不仅让ASML措手不及，不少外媒更是纷纷感叹：“中国开始关闭EUV的大门”。长期以来，ASML凭借对极紫外光（EUV）技术的绝对掌控，几乎垄断了7nm以下先进制程芯片的制造能力。其EUV...
ASML万万没想到,真让我们造出来了,新型光刻机,将引发技术革命
2025年3月25日，中国科学院的实验室里传出一则震撼全球科技界的消息：全固态激光深紫外（DUV）光源系统研发成功。这项技术不仅攻克了光刻机核心光源的"卡脖子"难题，更以颠覆性创新改写了半导体制造的游戏规则。正如《自然》杂志评论："当西方还在加固技术壁垒时，中国已悄然建造起新的赛道。"技术革命：全固态激光颠...
中国科学院成功研发全固态DUV光源技术-AET-电子技术应用
中国科学院成功研发全固态DUV光源技术 3月24日消息,中国科学院(CAS)研究人员成功研发突破性的固态深紫外(DUV)激光,能发射 193 纳米的相干光(Coherent Light),与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。相关论坛已经于本月初被披露在了国际光电工程学会(SPIE)的官网上。 目前,全球主要的DUV光刻机制造商如ASML、...
能生产3nm!中国成功研发全新DUV光刻:完全不同于ASML
并大大降低能耗。相关技术已经在国际光电工程学会(SPIE)的官网上公布。不过相信大家也看出来了，这种全固态DUV光源技术虽然在光谱纯度上已经和商用标准相差无几，但是输出功率、频率都还低得多。对比ASML的技术，频率赢达到了约2/3，但输出功率只有0.7%的水平，因此仍然需要继续迭代、提升才能落地。
能生产3nm!中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML|ASML...
中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML 快科技3月25日消息,据悉,中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光,可发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致,能将半导体工艺推进至3nm。 本文引用地址: 据悉,ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术,通过氩、氟气体混合...
绕开欧美专利技术限制?中科院,研发新的DUV光刻机方案
中科院这新技术，用的是Yb:YAG晶体放大器，先产生1030纳米激光，再通过一套复杂的光学系统，把它变成两束不同波长的激光，最后用硼酸锂（LBO）晶体一混合，就得到了193纳米的DUV光源。这就好比，老外用的是炸药包炸石头，咱用的是精密的切割机，动静小，效率高。这新技术有啥好处呢？第一，绕开了老外的专利，咱...
东方大国在光刻机核心技术领域迈出关键一步!
2025 年 3 月，中国科学界传来一则震动全球半导体行业的消息：中国科学院团队成功研发出基于全固态激光技术的深紫外光（DUV）光源系统，可输出 193 纳米波长的相干光，理论上支撑 3 纳米芯片制造工艺。这一突破不仅标志着东方大国在光刻机核心技术领域迈出关键一步，更意味着全球半导体产业链的竞争格局或将迎来新...
中国科学院成功研发全固态 DUV 光源技术 - IT之家
中国科学院成功研发全固态 DUV 光源技术 2025-03-25 10:16IT之家 - 汪淼 IT之家 3 月 25 日消息,据国际光电工程学会(SPIE)消息,中国科学院(CAS)研究人员成功研发突破性的固态深紫外(DUV)激光,能发射 193 nm 的相干光(Coherent Light),该波长目前被用于半导体曝光技术。 论文介绍称,深紫外相干光,尤其是 19...
ASML这次真慌了,我国突破DUV光源技术:剑指3nm制程
全固态DUV光源的“中国方案”ASML的DUV光刻机依赖氟化氩（ArF）准分子激光技术，需通过氩气和氟气混合激发193nm紫外光，但这一技术被2万多项专利层层封锁，且存在高能耗、有毒气体依赖等缺陷。中科院的全固态方案则采用Yb:YAG晶体生成1030nm基频光，通过四次谐波转换（258nm）与光学参数放大（1553nm）两路激光混合，...
ASML:中方开始关闭EUV光刻机的“大门”了
2018年，ASML高管那句“给图纸也造不出光刻机”的嘲讽，像一盆冰水浇在中国半导体行业的头上。谁也没想到，六年后的2025年3月25日，中国科学院用一束193纳米的深紫外激光，给了这场“傲慢与偏见”最硬核的回击，全固态DUV光源技术横空出世，直接瞄准3nm芯片工艺。这不仅让ASML连夜召开紧急会议讨论对策，更在全球...
真能生产3nm!中国成功研发出全新全固态DUV光源技术:完全不同于...
//www.spiedigitallibrary.org/journals/advanced-photonics-nexus/volume-4/issue-02/026011/Compact-narrow-linewidth-solid-state-193-nm-pulsed-laser-source/10.1117/1.APN.4.2.026011.full 日前,中国科学院正式成功研发出了突破性的固态DUV(深紫外)激光,可发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致,能将...
...中科院突破光刻技术瓶颈:成功研发全固态DUV光源方案!_18183.com
中科院突破光刻技术瓶颈:成功研发全固态DUV光源方案! 中国科学院的科研团队近日在《国际光电工程学会》期刊公布了全固态深紫外(DUV)激光光源研究成果。这项技术通过创新性的固态激光方案,成功输出193nm波长的相干光,理论上可支撑半导体制造工艺延伸至3nm节点,为我国光刻技术自主化开辟了新路径。
中国科学院成功研发全固态 DUV 光源技术 - 腾讯云开发者社区-腾讯云
中国科学院成功研发全固态 DUV 光源技术 IT之家 3 月 25 日消息,据国际光电工程学会(SPIE)消息,中国科学院(CAS)研究人员成功研发突破性的固态深紫外(DUV)激光,能发射 193 nm 的相干光(Coherent Light),该波长目前被用于半导体曝光技术。 论文介绍称,深紫外相干光,尤其是 193 nm 波长的光,已成为半导体光刻不...
我国成功研制出全球首台193纳米紧凑型固态激光器
据《Advanced Photonics Nexus》报道,中国科学院研究团队取得重要突破,成功研制出可产生193纳米相干光的紧凑型全固态激光系统。该波长对于光刻工艺至关重要,该工艺通过在硅晶圆上蚀刻复杂电路图案,构成了现代电子设备的制造基础。 该新型激光系统工作重复频率为6...
...中国科学院(CAS)的研究人员在实验室中成功开发了一种“突破性...
据国际光学与光子学学会(SPIE)报道,中国科学院(CAS)的研究人员在实验室中成功开发了一种“突破性”的固态深紫外(DUV)激光器,能够发射193纳米的相干光,用于半导体光刻。这一成果为芯片制造工具的研发提供了新的可能性,尽管其商业化前景仍需进一步探索。目前, ASML
中科院DUV光源获突破!__财经头条
中科院DUV光源获突破! 据国际光电工程学会(SPIE)报道,中国科学院(CAS)研究人员成功研发突破性的固态深紫外(DUV)激光,能发射 193 纳米的相干光(Coherent Light),该波长目前被用于半导体曝光技术。 论文已刊登在spiedigitallibrary.org 据报道而这项技术已在中国实验室中实现。如果光源技术能够扩展,此装置就可以用来制造...
重磅!中国成功造全球首台193纳米紧凑固态激光器,体积小90%
中国科学院研究团队近期在《Advanced Photonics Nexus》发表论文，宣布成功研制出全球首台能产生193纳米涡旋光束的紧凑型固态激光系统。这项技术不仅将半导体光刻精度推向新高度，还为量子通信等领域开辟了全新可能。图释：具有紧凑设置的深紫外固体激光器可在 193 nm 波长处产生涡流。来源：Hongwen Xuan 教授（中国科学院...
中科院突破全固态DUV光源技术!
中科院突破全固态DUV光源技术！国际光电工程学会（SPIE）最新论文透露：全球光刻巨头垄断的193纳米激光技术正被中国科学家改写游戏规则！就在ASML用两吨重设备生产芯片时，中科院实验室里诞生了能塞进冰箱的替代方案。但这项颠覆性技术背后藏着个致命短板——它的输出功率竟比现有设备弱一千倍！一、传统光刻机的＂心脏＂...