中国首创!攻克涉半导体世界难题
微信公众号“西安电子科技大学”1月13日消息，长期以来，半导体面临一个根本矛盾：我们知道下一代材料的性能会更好，却往往不知道如何将它制造出来。“就像我们都知道怎么控制火候，但真正把握好却很难。”周弘这样比喻。近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接
中国首创!攻克涉半导体世界难题
中国首创!攻克涉半导体世界难题 微信公众号“西安电子科技大学”1月13日消息,长期以来,半导体面临一个根本矛盾:我们知道下一代材料的性能会更好,却往往不知道如何将它制造出来。“就像我们都知道怎么控制火候,但真正把握好却很难。”周弘这样比喻。 近日,郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性...
我国攻克半导体材料世界难题
我国攻克半导体材料世界难题 在芯片制造中，不同材料层间的“岛状”连接结构长期阻碍热量传递，成为器件性能提升的关键瓶颈。近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术，成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”，使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。这为半导体材料高质量集成提供了“...
中国首创!攻克涉半导体世界难题|川观新闻
中国首创!攻克涉半导体世界难题 在芯片制造中,不同材料层间的“岛状”连接结构长期阻碍热量传递,成为器件性能提升的关键瓶颈。 近日,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术,成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”,使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。这项为半导体材料高质量集成提供...
西安电子科技大学攻克世界难题!
1月13日,记者从西安电子科技大学获悉:该校郝跃院士团队打破了20年的半导体材料技术瓶颈,让芯片散热效率与综合性能得到了飞跃性提升,为解决各类半导体材料高质量集成提供了可复制的中国范式。相关成果日前发表在国际顶级期刊《自然·通讯》和《科学·进展》上。
中国芯片散热突破!西电新技术让5G信号增强40%
芯片散热世界难题被攻克，西安电子科技大学郝跃院士团队的一项突破，让中国半导体技术迈出重要一步。传统的芯片散热技术已接近瓶颈，芯片热量堆积成为制约算力提升的关键因素。西安电子科技大学郝跃院士团队创新性地开发出“离子注入诱导成核”技术，彻底改变了这一局面。该技术将半导体热阻降至原来的三分之一，这意味着芯片...
中国通告全球:首次!我国在芯片域取得新突破,引发美西方高度关注
今天的突破，绝不是终点。它只是中国半导体产业长征路上的一个路标，证明我们有能力在最尖端的科技领域，提出最原创的问题，找到最独特的解决方案。芯片战争的硝烟不会很快散去。但有了这次突破，世界应该重新认识中国科技的决心与智慧。这不是结束，甚至不是结束的开始。但这，一定是开始的结束。黑夜中的第一道曙光...
首次!中国通告全球:芯片领域取得新突破,引发全球高度关注
芯片制造是一场在纳米尺度上的极限竞速。当台积电、三星在3nm、2nm制程上激烈厮杀时，一个长期被忽视的“幽灵”正悄然吞噬着芯片良率——光刻胶在显影液中的不可控行为。这个困扰全球半导体行业多年的难题，刚刚被中国科学家一举攻破。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队完成了一项里程碑式的研究。他们首次...
首次!我国芯片领域取得新突破,北大团队破解光刻技术难题
重要活动:2025年11月11-14日,第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA 2025)将在厦门召开。在全球半导体产业格局深刻大变革的背景下,今年IFWS&SSLCHINA2025论坛全新升级,学术与产业并重,着力链通全球第三代半导体智慧资源,紧跟时代产业发展最新脉动。除了来自产业链不同环节的百余位...
九年科研马拉松,中国团队突破黄金半导体集成瓶颈_澎湃号·湃客...
九年科研马拉松,中国团队突破黄金半导体集成瓶颈 2025年7月17日,麻省理工学院电子工程与计算机科学系博士后姜建峰以通讯作者兼共同第一作者的身份,与北京大学刘开辉教授团队携手发表Science论文,成功攻克了硒化铟半导体集成制造的难题,将二维硒化铟器件从“单器件”推向“晶圆级平台”,实现了大面积、可集成的二维电子器件,...
全球首颗,中国团队成功突破,攻克“世纪难题”,刷新全球计算极限
这是一次真正意义上的“全球首创”。这款芯片，不仅打破了长达数十年的“模拟计算精度瓶颈”，更首次在实验上实现了可与数字计算媲美的24位定点精度。这意味着——人类在“模拟计算能否替代数字计算”的世纪争论中，中国科研人员交出了令人震惊的答案。在传统计算体系中，数字计算是主流。无论是CPU、GPU还是AI加速芯片，几乎都遵循同一
中国突破EUV光刻机封锁!芯片专家揭秘2028量产如何颠覆全球半导体...
在这期独家对话中，芯片制造专家陈明首次披露：科研团队如何隐姓埋名攻克极紫外光被材料吸收的世纪难题，如何用“逆向工程+自主创新”双轮驱动打破纳米级精度壁垒。更关键的是，原型机已跳过从0到1阶段——2028年量产时间表比分析师预测提前两年，这意味着中国高端AI芯片将彻底摆脱海外依赖，全球半导体权力格局正在重构。...
南京,科技新势力崛起,引领全球...@叶子观热点的动态
南京,科技新势力崛起,引领全球芯片革命! 在科技飞速发展的时代,半导体技术作为核心领域,一直备受全球瞩目。近日,一则江苏芯德半导体科技股份有限公司成功攻克2.5D先进封测技术难题,并且获得了美国BroadPaK杰出奖项,这一成果不仅是全国首创,更是全球首创,标志着南京在半导体科技领域已成功跻身世界前列! 江苏芯德半导体,这家成...
从首台(套)攻坚到全球首创引领,硬核成果闪耀科技创新...-无锡政府网
“院士领衔”“三年破局”“芯片之眼”……围绕着这台设备的是一个个分量十足的关键词。2022年,丁文江院士、张泽院士及多位顶尖专家共同创办无锡亘芯悦科技有限公司,经过三年攻坚,设备成功在电子光学系统、运动平台、电子电路和软件等方面实现了100%自研,攻克了我国半导体量检测领域的关键核心难题。
中国团队撬开芯片制造“黑匣子”,全球半导体格局生变
今日的跃进，绝非终点所在。这仅仅是中国半导体产业漫漫征途中的一个里程碑，昭示着我们具备在科技领域的至高点，提出最前沿的原创性问题，并探寻最别具一格的解决方案的能力。芯片战的烽火尚未消散。然而，凭借这一重大突破，世界理应重新审视中国在科技领域的坚定意志与卓越智慧。这并非终结，亦非终结的序章。然而，这...
全球半导体格局生变?中国光刻胶突破关键技术 - 腾讯云开发者社区...
中国科学家在光刻胶领域取得了全球级的重大突破。据科技日报,北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术,首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为,指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。这意味着全球半导体工业困扰数十年的“黑匣子”被中国...
我们赢了!突破摩尔定律桎梏,中国研制出全球首款二维半导体芯片
而“无极”芯片不是终点，后面还会有二维光电、存储等新方向冒头，中国半导体生态只会越来越壮。这场胜利，说到底靠的是死磕科研、长期投入、团队执行力和国家资金支持。外部封锁再严，也挡不住中国人自己动手搞突破。科技发展路上，谁能坚持到最后，谁就有发言权。未来全球芯片圈，中国的声音只会越来越响，技术...
全世界苦研80年,被中国一朝突破!颠覆性技术的背后是谁做到的...
2025年夏天,半导体领域传来一声惊雷。北京大学刘开辉教授团队在《科学》杂志公布一项颠覆性成果:全球首个晶圆级二维硒化铟半导体成功问世。这种被誉为“黄金半导体”的材料,在多项指标上碾压统治芯片行业半个多世纪的硅基技术。 更令人惊叹的是,其性能竟超越了《国际器件与系统路线图》为2037年设定的目标——中国团队...
中国首创二维半导体微处理器无极,传统光刻机市场面临结构性崩塌
中台合作开发的“悬浮式铁电二维晶体管”将Hf₀.₅Zr₀.₅O₂薄膜减薄至20纳米以下，实现自由转印集成。这项突破解决了二维半导体与铁电材料整合的世界难题，53mV/dec的次临界摆幅让现有硅基芯片望尘莫及。更惊人的是产业转化速度。上海首条二维半导体示范线已启动建设，2026年贯通后将实现从智能穿戴到卫星...
中国芯片王炸炸穿全球!12英寸碳...@轻松橘子的动态
中国芯片王炸炸穿全球!12英寸碳化硅首发,硅基时代要被掀翻了 芯片赛道咱彻底逆袭了!第一代追赶、第二代并驾齐驱,到第三代直接全球首创封神!我国瀚天天成扔出重磅王炸——全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片,直接改写全球半导体格局,这波操作狠到骨子里! 这晶片有多狂?比主流6英寸晶片大一圈,单片承载芯片数量直...