下一代存储材料_ZAKER新闻
近年来,氧化物半导体作为下一代存储架构的潜力材料受到广泛关注,其关键优势在于可实现与后端互连工艺(BEOL)兼容的逻辑与存储器件。本文报道了基于氧化物半导体沟道的 BEOL 存储器件在近期取得的进展与面临的挑战,包括类 DRAM 的 1T-1C 存储单元、无电容增益单元以及非易失性铁电场效应晶体管(Ferroelectric FET)。文
国产厂商切入下一代存储技术:3D DRAM
此外，NEO Semiconductor 还表示，基于 3D X-DRAM 技术，能够生产出 230 层的 128Gbit DRAM 芯片，其存储密度是当前 DRAM 的 8 倍。在人工智能应用持续发展的背景下，下一波 AI 应用（如 ChatGPT）对高性能、大容量存储半导体的需求将大幅增长，而 3D X-DRAM 技术正是满足这一需求的关键所在。不仅如此，NEO ...
碲化铌展现下一代存储器材料前景---中国科学院
团队预计,新材料可在高达135℃的温度下保留数据10年,优于传统非晶态相变材料的85℃,这表明碲化铌具有出色的热稳定性以及在汽车行业等高温环境中使用的可能性。此外,碲化铌还表现出约30纳秒的快速切换速度,进一步凸显了其作为下一代相变存储器的潜力。
破局“磁”力!日本发现新一代存储芯片材料
在人工智能时代，数据的存储与读取速度正成为制约算力提升的关键瓶颈。正当全球芯片产业在硅基存储的赛道上奋力“内卷”时，一项来自日本科学界的材料发现，或许为下一代存储器打开了一扇全新的大门。近日，日本国家材料科学研究所等机构的研究团队，在超薄二氧化钌薄膜中成功证实了一种全新的磁序——阿尔特磁性。这不...
下一代存储的选择,国产相变材料进展如何? | 半导体行业观察 - 知乎
PCRAM三大核心技术存储材料、存储单元结构和存储阵列中,目前,传统的相变存储材料GST的知识产权掌握在国外巨头的手中,因此,我国可以通过布局新型相变材料,实现相变存储底层技术的自主可控,在政策支持下有望实现技术与市场的弯道超车,相变存储技术的突破将有助于中国存储芯片产业实现自主可控。
突破存储瓶颈,我国掌握下一代存...@蝌蚪五线谱的动态
突破存储瓶颈,我国掌握下一代存储核心技术,全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片研发成功 手机存东西半天加载、断电就丢文件?大数据时代,存储总在“速度”和“安全”间纠结——快的易失性存储器一断电就清空,安全的传统闪存速度比芯片算力慢10万倍以上。现在,复旦大学团队造出的“新芯片”把这对矛盾解决了! 这是全球...
下一代信息存储材料——反铁磁材料
最近，美因茨约翰内斯古滕贝格大学（JGU）研究人员和日本仙台东北大学合作证实了采用反铁磁材料存储信息是可行的，”我们不仅能展示在反铁磁材料中存储信息基本可行，而且还能有效评估电子信息写入绝缘反铁磁材料中的效率。”JGU的Mathias Kläui教授小组研究员洛伦佐·巴尔德拉蒂（Lorenzo Baldrati）博士说道。为了进行评估...
下一代存储器件-全面剖析 - 豆丁网
1.高密度存储:随着摩尔定律的逐渐失效,存储器件的密度需要不断提高。下一代存储器件将采用纳米级技术,实现更高的存储密度,以满足海量数据存储的需求。 2.快速读写:随着数据处理速度的加快,存储器件的读写速度也需要相应提升。下一代存储器件将采用新型存储材料和技术,实现更快的读写速度。 3.能耗降低:随着能源问...
科学家发现可用于下一代存储器的超快多铁性材料
当受到超快激光脉冲照射时，NiI2 会表现出手性螺旋磁电振荡，这可能有助于快速、紧凑地存储数据。研究人员发现，NiI2 的磁电耦合比任何已知的同类材料都要大，这使其成为技术进步的首选材料。磁电耦合：多铁性材料的关键特性 多铁材料具有一种称为磁电耦合的特殊性质，这意味着可以用电场来操纵磁性，反之亦然。...
下一代储存技术盘点:四种技术潜力最大
同时兼具运算、储存能力的下世代内存,如磁阻式内存(MRAM)、电阻式内存(RRAM)、3D XPoint技术与高潜力的自旋电子磁性内存(STT-MRAM)等,就成为下世代内存技术的新宠儿。 MRAM的技术在学理上访问速度将超越DRAM达到接近SRAM,且断电后数据不流失,早期由Everspin公司开发,被视为下世代内存技术的重要的竞争者。 2017年是...
DNA 数据存储:下一代信息存储的革命性媒介 - 中文知识网
随着全球数据量以每年约 50% 的速度增长,传统存储介质如硬盘、光盘等已难以满足日益增长的数据存储需求。这些介质不仅成本高、能耗大且寿命有限,最长仅能保存约 50 年。在这一背景下,DNA 作为一种具有极高存储密度和超长寿命的生物分子,展现出巨大的潜力,成为下一代数据存储的有力候选者。来自华沙大学分子生物学系的 Tomasz Buko、N
低维钙钛矿材料在下一代存储技术中的应用与研究进展
忆阻器作为一种新型电子元件，通过将存储与计算功能集成于单一单元，有望实现低功耗、高速存储，并能同时执行存储与逻辑运算，成为信息存储技术挑战下的技术突破。1.2 △ 低维钙钛矿特性（钙钛矿的化学和物理特性） 钙钛矿材料因其出色的材料化学性质、优异的光电性能以及低成本的制造优势，在光电器件领域展现出广泛的...
下一代能源存储技术及其关键电极材料
高效清洁能源的存储是电动汽车和智能电网的关键技术,对新能源、新材料和新能源汽车国家战略新兴产业的发展具有重要意义。锂离子电池是目前广泛应用的一种能源存储器件。电动汽车和智能电网对能量密度、功率密度、循环寿命和成本等方面的要求越来越高,传统的锂离子电池面临巨大挑战,发展下一代能源存储技术迫在眉睫。高能量...
下一代数据存储解决方案:超越传统硬盘
研究人员正在探索使用单个分子或原子来存储信息的可能性。这种技术有潜力实现极高的存储密度，理论上可以达到传统硬盘技术的数千倍甚至更高。虽然目前这种技术还处于实验室研究阶段，但其在理论上的成功已经表明，未来的存储设备可能会以我们难以想象的形式存在。挑战与未来展望 尽管这些下一代存储技术展示了巨大的潜力，但...
下一代能源存储:AI驱动下的固态电池突破 作为一种使用固体电极和固...
作为一种使用固体电极和固体电解质的电池,固态电池与传统锂离子电池和锂离子聚合物电池有着根本区别。这种区别不仅带来了安全性、能量密度、循环寿命等方面的显著优势,更被誉为下一代动力电池的终极解决方案。 随着各国企业进入“军备竞赛”阶段,加注研发固态电池,一旦能实现商业化将带来产业颠覆性变革。
新型存储,谁最有希望?-36氪
二维材料的特性如原子级厚度与结构设计灵活性,使得它们能实现更快速、更节能的存储器,并与当前电子技术无缝集成,提升整个系统的性能。随着材料合成和转移工艺的不断进步,二维材料的规模化应用正逐渐成为现实,预示着新一代存储技术的发展将迎来一个全新阶段,足以满足未来计算和数据存储的需求。
反铁磁材料:存储技术革新者,速度与密度引领新纪元,未来可否超越...
而支撑这些数据存储的技术，几乎到了“力不从心”的境地。科学家们最近提出了一项革命性的新方案——反铁磁材料。这种新材料被认为是下一代存储技术的有力竞争者，它不仅在速度上可以快到“皮秒级别”，存储密度甚至可能达到目前技术的百倍。它究竟有什么神奇之处？它的出现又会对我们生活产生怎样深远的影响？存储...
探索在下一代存储技术最前沿-瞭望周刊社
探索在下一代存储技术最前沿 ➤发现并利用单质元素制造出开关器件是重要创新。以往的相变开关器件材料组成复杂,材料组成越复杂越难在纳米尺度上做均匀,制约三维相变存储的寿命和存储密度提升。得益于单质碲组分均一,开关器件的一致性与稳定性进一步得到提升
闪存技术的未来:下一代NAND闪存芯片前瞻
数据安全和隐私保护也是下一代NAND闪存技术必须重视的问题。随着越来越多的敏感信息被存储在闪存设备中，如何在芯片层面提供强有力的加密和安全性保障变得尤为重要。这可能意味着需要在芯片设计中内建更高级的安全特性，或者发展与闪存芯片配合使用的专门加密软件。总之，未来的NAND闪存芯片将是一个集结次世代材料、先进...
募资295亿冲击科创板!长鑫科技超级周期下的国产存储破局者
对比来看,长鑫科技的募资将重点投向三大领域:130亿元用于DRAM技术升级,占比超44%,聚焦刻蚀、薄膜沉积等关键工艺改造;75亿元用于存储器晶圆量产线升级,提升产能效率;90亿元投入前瞻技术研发,布局下一代存储架构与新型材料。这种资金投放结构,精准契合了当前国产存储从“追赶到并跑”的核心需求。技术层面的“跳代研发”...