赛道Hyper | 三星搞定HBM4设计:领先海力士半身位|台积电|hbm|dram|三...
三星电子也明白其中的关键,故而业界有消息称三星电子自谓:“我们确实不再具备像以前那样在内存业务上与竞争对手拉开明显差距的优势;由于我们自己拥有代工工艺,我们对快速制造逻辑芯片以满足客户的定制需求持乐观态度。” 可见,三星电子很清楚,这次只是靠自己的4nm工艺先于竞对完成Base die的设计工作,但并没取得对SK海力士的全
消息称三星电子已启动 4nm 制程 HBM4 逻辑芯片试生产
IT之家 1 月 3 日消息,韩媒《Chosun Biz》当地时间今日报道称,三星电子 DS 部门内存(IT之家注:即存储器)业务部最近完成了 HBM4 内存逻辑芯片设计;Foundry 业务部现已根据该设计采用 4nm 制程启动试生产。 待完成逻辑芯片的最终性能验证后,三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。 ▲ 三星电子的 HBM ...
传三星已订购1c DRAM生产设备,为HBM4量产铺平道路|工厂|hbm|dram|三 ...
三星的HBM4为12层垂直堆叠,打算选择4nm工艺生产基础裸片,并采用1cnm工艺制造DRAM芯片。三星目前采用10nm工艺生产HBM3E的基础裸片,在新一代HBM4上换成4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争优势。三星希望在HBM4量产上可以追上SK海力士,重新夺回HBM市场的领导地位。
电子行业中期策略:看好半导体国产化和周期反转_腾讯新闻
AMD 采用“7nm+14nm”的芯片组方案相较于采用 7nm 制造同样 多核的芯片成本下降了 50%左右。 1.3.2 2.5D 封装:计算核心与 HBM 封装互连,CoWoS 封装技术广泛使用 计算核心与 HBM 通过 2.5D 封装互连,台积电开发的 CoWoS 封装技术为广泛使用的解决方案。台 积电早在 2011 年推出 CoWoS 技术,并在 2012 年首...
三星展望未来 HBM:定制款缩减 I/O 面积占用、基础芯片嵌加速器
IT之家 3 月 17 日消息,三星电子代表 Song Jai-hyuk 在 2 月的 IEEE ISSCC 2025 全体会议演讲中对 HBM 内存的未来技术演进进行了展望,提到了通过定制版本缩减 I/O 面积占用和在基础芯片中直接集成加速器单元两种思路。 定制HBM 目前的 HBM 内存在 xPU 处理器和 HBM 基础裸片 Base Die 之间采用数以千计的...
DRAM,生变_腾讯新闻
据报道,三星电子和SK海力士正在推迟淘汰DDR4 DRAM的计划,并将生产期限延长至2026年,因为旧款芯片的价格已飙升至下一代DDR5的价格。韩国《每日经济新闻》援引业内消息人士称,三星原本计划在2025年停止DDR4的生产,但后来修改了计划。SK海力士也已通知客户类似的调整,其无锡工厂预计将利用旧生产线提高产量。
中信建投:半导体产业链投资展望_腾讯新闻
CoWoS:2.5D封装重要解决方案,实现计算核心与HBM封装互连。计算核心与HBM通过2.5D封装互连,台积电开发的CoWoS封装技术为广泛使用的解决方案。台积电早在2011年推出CoWoS技术,并在2012年首先应用于Xilinx的FPGA上。此后,华为海思、英伟达、谷歌等厂商的芯片均采用了CoWoS,例如GP100(P100显卡核心),TPU 2.0。如今CoWoS已成为...
AI芯天下丨产业丨HBM4大战 - 维科号V
三星预计,4nm晶圆代工工艺将加速HBM4生产,使其在市场竞争中占据优势。 4nm是三星的旗舰晶圆代工制造工艺,其良率超过70%。 三星电子在HBM4的竞争中也展现了其强大的实力和坚定的决心,预计将于2025年开始量产,领先于部分竞争对手。 目前,三星已开始为微软、Meta等科技巨头提供定制化的HBM4内存,并建立了专门的生产线...
HBM4“华山论剑”,谁将登顶?-CSDN博客
目前三星正在建立专门的HBM4生产线,目前进入试生产阶段。这一阶段涉及小规模的试验性制造,为后续的大规模生产做准备。三星电子目标是在2025年之前完成HBM4的开发,并投入大量生产,该公司看好HBM4的未来前景。 根据报道,尽管HBM4的具体产品细节尚未公布,但三星在2月份透露了其整体规格。HBM4的传输速度达到每秒2太字节...
(2025.3.24)半导体周要闻-莫大康
不仅如此,Heim还推测,华为可能还从三星电子手中囤积了足够多的 HBM2E 高带宽内存。如果将芯片裸片和 HBM 内存这两个关键要素结合起来,Heim 认为,华为理论上可以生产出约140 万个 910C 加速器! 昇腾910C 能否实现 “国产化” 生产?或者说,华为是否已经掌握了在本土产线上,自主生产 7nm 甚至更先进制程芯片的能力...
超470亿晶圆厂动工,HBM市场激战正酣!|hbm市场|三星|晶圆厂|海力士...
HBM4e是继HBM4之后的下一代标准,三星计划于年内实现量产。据韩媒报道,三星电子采用10纳米级的1c制程技术来量产的HBM4正在按开发计划进行中,目标是在2025年下半年开始量产。 另外,三星还强调,虽然目前预计客户对HBM3e的16层堆叠产品尚无商业化需求,但三星已生产了16层堆叠技术的样品,并交付给主要客验证中。 03 美光
存储- 超能网
上个月美光(Micron)宣布,决定退出关键消费类存储业务,包括在全球主要零售商、电子零售商和分销商处销售消费级产品,有着29年历史的英睿达品牌将退出历史舞台,让DRAM和NAND闪存业务全面转向高毛利且属性单一的企业市场。近期有消息称,随着存储产品供应变得愈发紧张,SK海力士也选择类似的做法,退出消费级业务。 吕嘉俭 | 发...
消息称三星电子 HBM 内存开发部门双轨化,新团队专责 HBM4 开发
IT之家 5 月 10 日消息,据韩媒 The Elec 报道,三星电子内部已对其 HBM 内存开发部门进行“双轨化”改造,以增强其在 HBM 业务上的竞争力。 具体而言,由现有 DRAM 设计团队负责 HBM3E 内存的后续研发工作,而三月成立的 HBM 产能质量提升团队则专注开发下一代 HBM 内存 ——HBM4。
开源证券-半导体行业投资策略:AI算力自主可控的全景蓝图与投资...
6、海外政策冲击AI算力自主可控的全景蓝图与投资机遇预期落地至今(2025/4/30-10/28),数字芯片设计(+595%)、电子(+591%)、分立器件(+521%)、半导体(+491%)、半导体设备(+463%)、集成电路封测(+399%)、半导体材料(+396%)、模拟芯片设计(+124%)。 7、图3:半导体细分行业指数普半导体行业投资策略涨,数字/...
“大芯片”的挑战、模式和架构_财经频道_证券之星
在下面的章节中,我们将深入探讨这些挑战以及芯片集成和晶圆级集成所提供的解决方案。 制造和封装。在大芯片中,确保裸片封装具有高性能和可靠的裸片间互连非常...目前,还没有一种可靠的封装工具能保证这种对齐要求,因此需要重新开发一种新的定制封装工具[27]。如图 5(b)[4]所示,片式集成提供了多种成熟且经过验证...
消息称三星电子 4nm 工艺 HBM4 内存逻辑裸片良率已超九成
IT之家 10 月 20 日消息,韩媒《朝鲜日报》当地时间今日表示,由三星电子晶圆代工部门为存储器部门制造的 4nm 工艺 HBM4 内存逻辑裸片(IT之家注:Logic Die)良率已超过 90%。 三星电子在 HBM4 上采用了相对激进的工艺组合,即以 1cnm DRAM Die 搭配 4nm Logic Die,而台积电目前的提供高性能 HBM Logic Die...
消息称SK海力士HBM4内存使用台积电N5版基础裸片 - 通信终端...
这一纵向结构可提供更大的内存带宽,将深远改变 HPC&AI芯片生态。 HBM 内存基础裸片转由逻辑晶圆厂生产也是半导体制造两大领域走向融合的最好证明。韩媒在报道中提到,SK 海力士和三星电子均正为其 HBM 内存团队补充逻辑设计人才。
人工智能行业深度报告:算力大时代,AI算力产业链全景梳理_腾讯新闻
第 5 代 CoWoS-S 技术使用了全新的 TSV 解决方案,更厚的铜连接线,晶体管数量是第 3 代的 20 倍,硅中介层扩大到 2500mm2,相当于 3 倍 光罩面积,拥有 8 个 HBM2E 堆栈的空间,容量高达 128 GB。第 6 代技术有望于 2023 年推出,将会在基板 上封装 2 颗运算核心,同时可以板载多达 12 颗 HBM 缓存...
...HBM之父”:最快明年用于英伟达产品|hbm|三星电子|内存|商业...
据韩国经济日报等外媒报道,SK海力士正与闪迪合作,致力于HBF标准的制定。该公司计划最早于今年推出HBF1(第一代产品)样品,该产品预计采用16层NAND闪存堆叠而成。 除此之外,据“HBM之父”韩国科学技术院(KAIST)教授金正浩透露:“三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品...
基于1β制程的第二代HBM3——美光加速AI应用创新的又一里程碑...
(NRZ),比当前市面上现有的HBM3解决方案性能可提升最高50%,美光第二代HBM3产品与前一代产品相比,每瓦性能提高2.5倍,可以缩短大型语言模型(如GPT-4及更高版本)的训练时间(减少30%以上),为AI推理提供高效的基础设施,并降低TCO,在已经部署的1000万个图形处理器用例中,单个HBM模块可节约5W功耗,能在五年内节省5.5...