性能突破性提升!我国攻克半导体材料世界难题
我国攻克半导体材料世界难题 在芯片制造中,不同材料层间的“岛状”连接结构长期阻碍热量传递,成为器件性能提升的关键瓶颈。 近日,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术,成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”,使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。这项为半导体材料高质量集成提供“中国
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性能突破性提升!我国攻克半导体材料世界难题 ◎ 科技日报记者 王禹涵 在芯片制造中,不同材料层间的“岛状”连接结构长期阻碍热量传递,成为器件性能提升的关键瓶颈。 近日,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术,成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”,使芯片散热效率和器件性能获得突破性...
西安电子科技大学攻克世界难题!
1月13日,记者从西安电子科技大学获悉:该校郝跃院士团队打破了20年的半导体材料技术瓶颈,让芯片散热效率与综合性能得到了飞跃性提升,为解决各类半导体材料高质量集成提供了可复制的中国范式。相关成果日前发表在国际顶级期刊《自然·通讯》和《科学·进展》上。 该论文入选Science...
西电团队攻克半导体材料制备领域世界性难题
“懂火候易，精准控火难”——半导体材料制备领域近二十年行业痛点被破解！近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队的研究成果，可将材料连接从“岛状”结构转变到原子级平整“薄膜”，这一关键转变一举实现了芯片性能的跃升。这项突破性成果，已登上国际顶级学术期刊平台。为器件性能的爆发式提升奠定关键基础 ...
性能突破性提升!我国攻克半导体材料世界难题_财富号_东方财富网
性能突破性提升!我国攻克半导体材料世界难题 炒股第一步,先开个股票账户 来源:市场资讯 (来源:环球网资讯) 来源:科技日报 在芯片制造中,不同材料层间的“岛状”连接结构长期阻碍热量传递,成为器件性能提升的关键瓶颈。 近日,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术,成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子...
性能突破性提升!我国攻克半导体材料世界难题|半导体芯片|芯片|...
性能突破性提升!我国攻克半导体材料世界难题 (来源:环球网资讯) 来源:科技日报 在芯片制造中,不同材料层间的“岛状”连接结构长期阻碍热量传递,成为器件性能提升的关键瓶颈。 近日,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术,成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”,使芯片散热效率和器件性能...
美媒:中国再度突破,研发“原子金属”,攻克芯片关键难题
从二维材料、宽禁带半导体到自旋电子学、光学计算和类脑模拟，这些方向在短期内难以取代成熟的硅基工艺，但它们共同指向一个目标：避免被量子隧穿效应所主导的困境，探索新的性能提升途径。这种思路并非试图在现有框架下实现“追平”，而是旨在改变基本规则。单原子层金属的突破 长久以来，学术界普遍认定，由于原子间的...
九年科研马拉松,中国团队突破黄金半导体集成瓶颈_澎湃号·湃客...
2025年7月17日,麻省理工学院电子工程与计算机科学系博士后姜建峰以通讯作者兼共同第一作者的身份,与北京大学刘开辉教授团队携手发表Science论文,成功攻克了硒化铟半导体集成制造的难题,将二维硒化铟器件从“单器件”推向“晶圆级平台”,实现了大面积、可集成的二维电子器件,为后摩尔时代的芯片技术开辟了新路径。今年12月...
中国攻克第四代半导体材料,百年产业格局迎来大变革
到了2025年，中国在第四代半导体核心材料——氧化镓的技术上实现了重大突破，不仅冲破了国外多年技术封锁，还悄然改变了全球半导体的竞争格局。今天就用通俗的语言，聊一聊这个材料的特点、我国的技术跨越以及它将带来的实际影响。第四代半导体的材料中，氧化镓被业内称为“材料之王”。它的性能优势用几组数据就能...
中国光刻胶重大突破!北大团队攻克芯片缺陷难题,芯片良率飙升!相关...
光刻胶市场快速增长，中国增速领跑全球 光刻胶是半导体工艺中不可或缺的重要材料。当下的全球光刻胶市场，几乎被来自日本R、东京应化、信越化学、富士电子等企业所瓜分。据国际半导体产业协会（SEMI）统计，2024年全球光刻胶市场规模达27.32亿美元，同比增长16.15%；2024年中国大陆半导体光刻胶市场规模达7.71亿美元...
比稀土稀缺100倍!第四代半导体...@鹏哥侃说的动态
更令人振奋的是,在这场决定全球科技主导权的竞赛中,中国不仅拥有全球第一的资源储备,更实现了从原材料到器件制造的全链条技术突破,彻底打破了西方国家长期以来的技术封锁与市场垄断。 那么,第四代半导体材料究竟是什么?它的核心成员包括氧化镓、金刚石、锑化物等几大“硬核选手”,主打三大性能优势:超宽禁带、超高稳定性、
全世界苦研80年,被中国一朝突破!颠覆性技术的背后是谁做到的...
2025年夏天,半导体领域传来一声惊雷。北京大学刘开辉教授团队在《科学》杂志公布一项颠覆性成果:全球首个晶圆级二维硒化铟半导体成功问世。这种被誉为“黄金半导体”的材料,在多项指标上碾压统治芯片行业半个多世纪的硅基技术。 更令人惊叹的是,其性能竟超越了《国际器件与系统路线图》为2037年设定的目标——中国团队...
比稀土稀缺100倍!第四代半...@朝霞不必染天的动态
更让人振奋的是,在这场关乎全球科技格局的博弈中,中国不仅手握全球第一的资源储量,更实现了从材料到技术的全产业链突破,彻底打破了西方的长期垄断。 可能有人会问,第四代半导体材料到底是啥?它的核心成员就是氧化镓、金刚石、锑化物这几种“狠角色”,主打“超宽禁带、超高稳定性、超低损耗”三大优势。 别小看...
“中国芯”刷新“镓”速度!浙产半导体材料率先攻克世界难题
什么是氧化镓单晶？研发团队成员、浙江大学杭州国际科创中心研究员金竹打了个比方，材料就相当于芯片制造的“地基”，只有材料本身的性能有突破，才能在此基础上进行半导体集成电路的设计和芯片生产等。从第一代的半导体材料硅和锗，到第二代的砷化镓等化合物半导体材料，再到第三代的碳化硅和氮化镓等，国际上一直在寻找...
2025,那些“最能打”的中国芯! 2025年堪称国内芯片行业的整合之年...
上海琪埔维半导体有限公司 XL8832A AFE是车规BMS核心器件之一,其将近9成市场被国际厂商占据。近几年,国内厂商逐步攻克技术难题,接连推出性能指标很高的产品。 矽力杰SA63122是国内首款车规级BMS AFE,具备完善的安全机制和高精度电池检测能力,可广泛应用于汽车电池管理系统, 支持最高18串电池检测,ASIL-D最高功能安...
我们赢了!突破摩尔定律限制,中国研制出全球首款二维半导体芯片...
延续计算性能的指数级增长,是全球科研力量都在努力寻找新方向的宏大目标。对于我们来说,还得加上地缘背景带来的半导体技术封锁压力,寻找新路变得更加紧迫。 要突破瓶颈,就得从根上解决问题,二维材料,比如二硫化钼(MoS2),带着原子级的薄度,走进了大家的视野。它在极薄的结构下,电子依然能高速移动,同时还能实现低功耗...
从“突围”到“引领”:2025,中国芯片自主创新的高光之年_什么值得买
2025年,中国芯片产业在面对外部技术封锁的挑战下,实现了从“单点突破”到“体系化攻坚”的历史性跨越。北京大学团队研制的高精度模拟计算芯片绕开了先进制程光刻机的依赖,实现了量产。二维半导体集成取得里程碑进展,硒化铟晶圆级集成制造难题被攻克。中国科学院上海光机所与杭州富加镓业科技有限公司合作,成功制备出8英寸...
我国科学家研究的芯片,突破世纪难题
“三把钥匙”解开世纪难题 为什么过去模拟计算始终无法兼顾精度和规模？北京大学团队的突破性工作给出了答案，而秘密藏在三个关键创新中：第一把钥匙是新型存储器技术——阻变存储器（RRAM）。 这种器件堪称“电子界的变形金刚”，其电阻值能被精确调控为多个状态。更妙的是，RRAM在断电后还能保持数据，使得它既是...
我们赢了。突破摩尔定律限制,中国研制出全球首款二维半导体芯片
团队采用了高K栅介质和钛金属优化接触技术，通过精密工艺实现晶圆级生长，并借助AI辅助布局减少寄生电容，从而提升芯片的性能和稳定性。得益于这些创新，“无极”芯片不仅表现优异，良率也高达99.77%，为未来量产和大规模应用打下坚实基础。这项技术突破不仅在学术界引起广泛关注，也显著提升了中国在全球半导体产业中的...
【光计算芯片革命:中国突破算力天花板,全产业链生态蓄势待发】 🌈...
2025年12月19日,上海交通大学宣布成功研发全球首款支持大规模语义媒体生成的全光计算芯片LightGen,其算力达到英伟达A100的200倍,能效提升50倍以上。这一突破不仅标志着中国在下一代算力芯片领域实现领跑,更揭示了全球半导体产业正经历从"硅基电子"向"光子计算"的历史性转折。在AI算力需求爆炸式增长(预计2026年全球AI服...