晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备交付
晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备交付 12月24日,据晶盛机电消息,12英寸单片式碳化硅外延生长设备已交付碳化硅(SiC)外延晶片生产商瀚天天成,其使用的12英寸衬底则由浙江晶瑞SuperSiC提供。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产。
晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付
人民财讯12月24日电,近日,晶盛机电在碳化硅(SiC)核心装备领域取得重大突破,12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产,其独创的垂直分流进气方案,实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术,同时设备配...
晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付
近日,晶盛机电在碳化硅(SiC)核心装备领域取得重大突破,12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产,其独创的垂直分流进气方案,实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术,同时设备配备了自动化上/下料...
晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付
人民财讯12月24日电,近日,晶盛机电(300316)在碳化硅(SiC)核心装备领域取得重大突破,12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产,其独创的垂直分流进气方案,实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术,同...
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【晶盛机电(39.300,1.22,3.20%)12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付】财联社12月24日电,晶盛机电近日在碳化硅(SiC)核心装备领域取得重大突破,12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产,其独创的垂直分流进气方案,实现...
晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备交付|界面新闻 · 快讯
晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备交付 12月24日,据晶盛机电消息,12英寸单片式碳化硅外延生长设备已交付碳化硅(SiC)外延晶片生产商瀚天天成,其使用的12英寸衬底则由浙江晶瑞SuperSiC提供。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产。
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格隆汇12月24日|晶盛机电近日在碳化硅(SiC)核心装备领域取得重大突破,12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产,其独创的垂直分流进气方案,实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术,同时设备配备了自...
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晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付。目前,该设备已交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成,其使用的12英寸衬底则由浙江晶瑞SuperSiC提供,全面实现了国产化协同。外延晶片产品在关键性能指标上表现优异:外延层厚度不均匀性控制在3%以内,掺杂不均匀性控制在8%以内,2mm×2mm芯片良率大于96%,已达到行业领先...
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晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付人民财讯12月24日电,近日,晶盛机电在碳化硅(SiC)核心装备领域取得重大突破,12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产,其独创的垂直分流进气方案,实现了晶圆表面温度高精度闭...
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近日,晶盛机电在碳化硅(SiC)核心装备领域取得重大突破,12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产,其独创的垂直分流进气方案,实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术,同时设备配备了自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能,大幅提升颗粒控...
【晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付】金十数据12...
【晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付】金十数据12月24日讯,近日,晶盛机电在碳化硅(SiC)核心装备领域取得重大突破,12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延
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晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备交付 12月24日,据晶盛机电(40.230,2.15,5.65%)消息,12英寸单片式碳化硅外延生长设备已交付碳化硅(SiC)外延晶片生产商瀚天天成,其使用的12英寸衬底则由浙江晶瑞SuperSiC提供。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产。
晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备交付|碳化硅|晶盛机电|...
晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备交付 12月24日,据晶盛机电消息,12英寸单片式碳化硅外延生长设备已交付碳化硅(SiC)外延晶片生产商瀚天天成,其使用的12英寸衬底则由浙江晶瑞SuperSiC提供。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产。
晶盛机电:公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户
晶盛机电:公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户 证券日报网讯 晶盛机电10月28日发布公告,在公司回答调研者提问时表示,在集成电路装备领域,公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户,其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际...
调研速递|浙江晶盛机电接待长江证券等62家机构调研 12寸碳化硅中...
调研核心聚焦:碳化硅衬底材料与半导体装备业务进展 12英寸碳化硅中试线实现全线国产化 设备自主可控破“卡脖子”风险 调研中,机构重点关注公司12英寸碳化硅衬底加工中试线的进展。据介绍,该中试线已于9月26日在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,标志着晶盛机电实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发,...
晶盛机电:公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部...
证券日报网讯 晶盛机电10月28日发布公告,在公司回答调研者提问时表示,在集成电路装备领域,公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户,其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平。积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证。12英寸...
晶盛机电:公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部...
证券日报网讯 晶盛机电10月28日发布公告,在公司回答调研者提问时表示,在集成电路装备领域,公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户,其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平。积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的...
晶盛机电:自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户...
10月28日,晶盛机电发布公告,在公司回答调研者提问时晶盛机电表示,在集成电路装备领域,公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户,其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平。积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证。12英寸硅...