安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件
安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件 当地时间12月18日，安森美宣布，已与格芯（GlobalFoundries）签署合作协议。双方将基于格芯最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺，共同研发并制造先进GaN（氮化镓）功率产品，合作将从650V器件开始。
安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件
当地时间12月18日,安森美宣布,已与格芯(GlobalFoundries)签署合作协议。双方将基于格芯最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺,共同研发并制造先进GaN(氮化镓)功率产品,合作将从650V器件开始。
安森美发布垂直氮化镓(GaN)半导体:为人工智能(AI)与电气化领域...
安森美基于全新GaN-on-GaN技术,其垂直GaN架构为功率密度、能效和耐用性树立新标杆 核心摘要 随着全球能源需求因 AI 数据中心、电动汽车以及其他高能耗应用而激增,安森美推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体,为相关应用的功率密度、能效和耐用性树立新标杆。这些突破性的新一代 GaN-on-...
安森美半导体与格芯合作 开发650V氮化镓功率产品
【12月19日安森美半导体与格芯达成合作开发制造氮化镓功率产品】12月19日，安森美半导体与格芯签署合作协议，将采用格芯先进的200毫米eMode氮化镓硅基工艺，开发并制造先进氮化镓功率产品，首款产品是650V器件。此次合作会加速安森美半导体高性能GaN器件及集率级产品路线图推进，通过扩展高压产品组合，满足多领域增长的功率需...
安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件 _ 东方财富网
当地时间12月18日,安森美宣布,已与格芯(GlobalFoundries)签署合作协议。双方将基于格芯最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺,共同研发并制造先进GaN(氮化镓)功率产品,合作将从650V器件开始。
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安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件 当地时间12月18日,安森美宣布,已与格芯(GlobalFoundries)签署合作协议。双方将基于格芯最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺,共同研发并制造先进GaN(氮化镓)功率产品,合作将从650V器件开始。
安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件。-24小时-虎嗅网
安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件。当地时间12月18日,安森美宣布,已与格芯(GlobalFoundries)签署合作协议。双方将基于格芯最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺,共同研发并制造先进GaN(氮化镓)功率产品,合作将从650V器件开始。
安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件
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安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件-网易公开课
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晶圆代工巨头动态:台积电格芯“牵手”,中芯国际披露并购案新进展
台积电格芯“牵手”，瞄准下一代半导体材料氮化镓 11月10日，格芯在其官网宣布与台积电签署一项技术授权协议，将引进后者650V和80V氮化镓技术，借以强化格芯在电源应用领域的布局，加速其在数据中心、工业以及汽车等高功率市场领域的下一代氮化镓产品的开发。格芯表示，计划在其位于美国佛蒙特州伯灵顿、专门处理高压GaN-on...
安森美,发布垂直氮化镓半导体_澎湃号·湃客_澎湃新闻-The Paper
当前,电力消耗增速与高效发电、输电能力的提升速度存在差距,能效优化成为各行业技术发展中需要应对的重要课题。在此背景下,安森美半导体(Onsemi)推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体技术,该技术基于 GaN-on-GaN 架构,在功率密度、转换效率和结构稳定性方面形成特色,为高能耗应用领域提供了新的技术选择。 安森美vGaN 技术的
安森美官宣:进军垂直氮化镓_财富号_东方财富网
3、紧凑型系统:更高的开关频率可以减小电容器和电感器等无源元件的尺寸。 安森美的新一代产品 安森美半导体(Onsemi)的垂直氮化镓(vGaN)晶体管是新一代功率器件,旨在以远超传统硅芯片的效率,在高频下处理极高电压。这项业界领先的技术由安森美半导体位于纽约州锡拉丘兹的研发团队率先开发。该公司拥有占地 66,000 平...
格芯/英伟达两大半导体巨头“瞄准”氮化镓
格芯将在其位于佛蒙特州伯灵顿的制造工厂对获得许可的氮化镓技术进行鉴定，利用该工厂在高压硅基氮化镓技术方面的专业知识，为寻求下一代功率器件的客户加快量产速度。据了解，格芯正在开发全面的氮化镓产品组合，包括高性能650V和80V技术，旨在支持电动汽车、数据中心、可再生能源系统和快速充电电子设备。GlobalFoundries电源...
安森美与英诺赛科共建氮化镓产业生态 拟2026年上半年提供样品
12月4日，安森美与英诺赛科宣布签署一份谅解备忘录，布局氮化镓（GaN）功率器件市场机遇。安森美预计将于2026年上半年开始提供样品。安森美企业战略副总裁Antoine Jalabert表示：“随着各行各业电力需求的增长，GaN相比其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能耗。迄今为止，在低压和中压领域，成本和供应限制了其...
垂直氮化镓(vGaN)| 安森美
先锋技术,引领变革 安森美先锋技术驱动AI和电气化的下一次飞跃AI和电气化的突破性技术安森美的垂直氮化镓(vGaN)技术是一项突破性的功率半导体技术,带来创纪录的效率、功率密度和耐用性,满足AI和电气化时代的应用需求。 这一技术由安森美位于纽约州锡拉丘兹的工厂研发和制造。新一代“GaN-on-GaN”功率半导体能够使电流...
格芯/英伟达两大半导体巨头“瞄准”氮化镓 11月10日,格芯( GlobalFoun...
格芯将在其位于佛蒙特州伯灵顿的制造工厂对获得许可的氮化镓技术进行鉴定,利用该工厂在高压硅基氮化镓技术方面的专业知识,为寻求下一代功率器件的客户加快量产速度。 据了解,格芯正在开发全面的氮化镓产品组合,包括高性能650V和80V技术,旨在支持电动汽车、数据中心、可再生能源系统和快速充电电子设备。
英诺赛科“朋友圈”+1,携手安森美剑指200毫米氮化镓技术_英诺赛科...
12月3日,英诺赛科(Innoscience)与安森美(Onsemi)半导体共同宣布,双方签署谅解备忘录,探讨利用Innoscience经过验证的200毫米氮化镓对硅工艺,扩大氮化镓(GaN)功率器件的生产。 图片来源:英诺赛科新闻稿截图 此次合作将结合Onsemi的系统集成、驱动和封装专业知识,配合Innoscience的氮化镓晶圆及大规模制造领导力,力求更快地将成本...
功率芯片江湖的强强联手:安森美联姻英诺赛科,氮化镓要“飞入寻常...
当安森美企业战略副总裁安托万·贾拉贝尔和英诺赛科产品与工程高级副总裁孙毅共同在谅解备忘录上签下名字时，全球功率半导体圈的神经瞬间绷紧——这两家分别手握“封装王牌”和“量产密码”的巨头，要联手啃下氮化镓普及的硬骨头了。消息传出半小时，深圳华强北电子市场的功率器件批发商们就炸开了锅。有人翻出英诺赛科8...
安森美与英诺赛科达成战略合作
当地时间2025年12月2日，功率半导体及图像传感器大厂安森美与国产氮化镓（GaN）大厂英诺赛科（Innoscience）宣布双方签署了一份谅解备忘录（MoU），以评估加速40-200V氮化镓功率器件部署的机会，并显著扩大客户采纳度。备忘录中提出的合作，将安森美在集成系统与封装领域的领导力与英诺赛科成熟的GaN技术及大规模制造相结合，...