拿图纸也造不出来?中科院全固态DUV光源技术诞生,能生产3nm芯片
而中科院的全固态DUV光源技术，采用自制的Yb:YAG晶体生成1030nm红外激光，之后分量路转换波长，其一通过四次谐波转换至258nm，其二通过光学参数将波长放大到1553nm；最后用硼酸锂（LBO）晶体将两束光混合，最终生成193nm激光。正是基于这种技术，让DUV光源的激光平均功率来到了70mW，频率为6Khz，线宽880HZ，半峰全宽...
拿图纸也造不出来?中科院全固态DUV光源技术诞生,能生产3nm芯片
而中科院的全固态DUV光源技术,采用自制的Yb:YAG晶体生成1030nm红外激光,之后分量路转换波长,其一通过四次谐波转换至258nm,其二通过光学参数将波长放大到1553nm;最后用硼酸锂(LBO)晶体将两束光混合,最终生成193nm激光。 正是基于这种技术,让DUV光源的激光平均功率来到了70mW,频率为6Khz,线宽880HZ,半峰全宽小于千分...
国产3nm芯片成了!中科院成功研发全固态DUV光源技术_手机新浪网
中科院成功研发全固态DUV光源技术 中国科学院近期成功研发了一项突破性的固态DUV(深紫外)激光技术,这种技术能够发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致。这一技术的成功,为推动半导体工艺的发展至3nm节点奠定了基础。 目前,全球领先的光刻机制造商如ASML、佳能、尼康等,都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术,通...
中国芯的好消息:浸润式DUV光刻机,能制造出3nm芯片
浸润式DUV技术的分辨率通常为38纳米，而如果使用SASP方案，分辨率可以提升到6分之一，达到6.3纳米的半间距。至于2纳米芯片，其半间距为10纳米。理论上，2nm芯片可以利用DUV光刻机进行生产。不过，这种SASP方案在SADP（双对准）后需要紧接着进行SATP（三对准），这增加了制造的难度。无论情况如何，这为我们指明了有...
中科院成功研发全固态DUV光源技术!
3月24日消息，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。相关论坛已经于本月初被披露在了国际光电工程学会（SPIE）的官网上。目前，全球主要的DUV光刻机制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氩（...
能生产3nm!中国成功研发全新DUV光刻|中国_新浪财经_新浪网
3月25日消息,据悉,中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光,可发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致,能将半导体工艺推进至3nm。 据悉,ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术,通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子,释放出193nm波长的光子,然后以高能量...
为什么中国大陆,还制造不出5nm、3nm的先进芯片?
其实造芯片，不是用手搓出来的，分为材料、设备、技术三个方面。材料中最重要的是硅片，造5nm芯片需要12寸硅晶圆，纯度不能低于99.9999999%（9个9），还有平整度的要求，以前国内造不出这样的硅片。后来张汝京创办了上海新昇，在2016年实现了300mm半导体硅片的规模化生产，才实现了12寸硅片的0的突破，但如今，...
国产EUV光刻机光源突破,2024年将量产3nm芯片
本公开提供的一种激光等离子体型极紫外光刻机光源系统,该光源系统相对小型化使得EUV光刻机具有紧凑、小型的优点,适于大批量生产供应市场,进一步换用钆靶材发生器或其他靶材可产生波长为6.7nm或更短波长的EUV光。ASML公司现有的EUV光刻机是一种超大型装置。同样由于其体积庞大、装置复杂、造价成本昂贵、灵活性差等...
用DUV光刻机制造3纳米芯片!-CSDN博客
华为海思麒麟9000S的面市,预示着中国已经可以使用 DUV 光刻技术实现了 7 纳米级节点的芯片制造,这提出了一个问题:通过多重曝光方法,DUV 光刻技术能走多远? 据国外科技媒体semiwiki报道,CSTIC 2023的最新发表指出,中国研究小组目前正在考虑将基于 DUV 的多重图案化扩展到 5 纳米,甚至考虑在一层使用 6 个掩模。
生产不出来!哪怕华为设计出了3nm芯片,也只是空中楼阁!
那么，中国有没有可能生产出3nm芯片呢？答案是：很难。原因有以下3点：一是设备问题。生产3nm芯片需要使用极紫外光刻机（EUV），这是一种非常昂贵和复杂的设备，目前全球只有荷兰阿斯麦公司能够生产。由于美国的制裁和限制，中国无法从阿斯麦购买EUV光刻机，也无法自主研发。没有EUV光刻机，就无法进行3nm芯片的制造。
中科院DUV光源获突破!
据国际光电工程学会（SPIE）报道，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），该波长目前被用于半导体曝光技术。论文已刊登在spiedigitallibrary.org 据报道而这项技术已在中国实验室中实现。如果光源技术能够扩展，此装置就可以用来制造曝光设备，但...
造5nm芯片比原子弹难10倍,美国不给设计软件,将设计不出芯片
2022年，美国对中国的EDA出口实施禁令，直接针对下一代GAA晶体管技术。就算你有再强的制造能力，没有EDA，你连芯片图纸都画不出来。这意味着，中国芯片企业不仅要在硬件制造上寻求突破，还需要在软件工具上找到替代方案。否则，即使有了先进的制造设备，也无法进行有效的设计和生产。材料与封装技术的挑战 除了光刻机...
中科院DUV光源获突破! - 知乎
据报道而这项技术已在中国实验室中实现。如果光源技术能够扩展,此装置就可以用来制造曝光设备,但至于固态激光是否能成功扩展应用,仍存在未知数。 以传统技术来看,ASML、Canon和Nikon的DUV光刻机利用氟化氩(ArF)准分子激光产生193nm光源。激光腔内包含氩气与氟的混合物,以及氖气作为缓冲气体。当施加高压电脉冲时,氩原...
中国不可能独立做出光刻机还没有一个国家独立造出EUV光刻机!
简单来说，光刻机的任务是把芯片设计图“刻”到硅片上，这听起来不复杂，但当芯片制程进入7nm甚至3nm时代，传统的DUV（深紫外光刻机）已经无法满足需求了。这时候，极紫外光（波长仅13.5nm）就成为唯一选择。问题来了，想用这种极短波长的光来刻图，面临无数技术挑战：光源难题：EUV波长极短，普通光源根本发不...
中国为什么制造不出高端光刻机?
除光源之外，光刻机很多核心零部件也存在很高的制造门槛，比如高精度镜头，它的平整度非常高，如果把它放大到一个地球那么大，上面只允许有一根头发丝那样的凸起。没有EUV光刻机，我们就造不了7nm、3nm芯片了？并不是，国产DUV光刻机通过浸润、相移、掩膜、多重曝光等技术已经突破22nm的极限，成功制造7nm芯片，但...
光刻机突围,国产DUV交付中芯,能否撼动ASML霸权
虽然国产光刻机的交付是一个重要突破，但距离大规模量产高端芯片仍有巨大挑战。光刻机是全球最复杂的工业设备之一，EUV光刻机由5000家供应商提供10万个零部件，涉及欧洲、美国、日本的顶尖技术。目前我们仍在构建本土供应链，短期内要完全替代并非易事。此外，光刻机的稳定性和生产效率也是关键考验。即便这台DUV设备...
光刻机真的有图纸也造不出来吗
现在哈工大在光刻机技术上取得13.5纳米极紫外光源突破，有望打破ASML垄断，助力中芯国际等芯片制造商发展，预计5年内中国光刻机市场份额升至10%，有望改写全球半导体产业版图。2024年9月，我国拥有完全自主知识产权的28纳米光刻机投入生产以来，到目前为止，良品率已经超过了阿斯麦同级别产品，分辨率更是达到了全球...
国产DUV光刻机研制成功,各国反应不一:荷兰气愤,韩国美国意外
想想看，如此小的芯片上刻蚀电路，这已经超越了人的极限，自然不可能是人类拿着小刀一刀一刀的刻出来的。且不说人工的手段做不到那么高的精度，就算是做到到那样高的精度，想要把数以亿计的电路刻完，那也是要耗费无数岁月的。所以，这个时候，光刻机就闪亮登场了。技术人员将提前设计好的芯片结构，录入计算机，...
中国芯无忧了?浸润式DUV光刻机,最高能制造2nm芯片?
算下来就是6.3纳米，这数据一出来，连专家都惊了。要知道，2纳米芯片需要的10纳米半节距，在这个数据面前简直就是"小菜一碟"。这个发现可不是空穴来风，连浸润式光刻机的"亲爹"林本坚都站出来背书。这位光刻机界的"大牛"明确表示，浸没式DUV光刻技术确实能够实现六重光刻模式。听到这个消息，感觉就像是在寒冬...
华为用DUV光刻机量产3纳米芯片,震撼业界,颠覆传统芯片制造工艺...
他们竟然用DUV光刻机量产了3纳米芯片!这事儿可是震撼了整个业界,简直就像是在芯片制造工艺上投下了一颗“震撼弹”!咱们先来聊聊这背后的故事。大家都知道,芯片是现代科技的基石,而制造工艺则是芯片性能的关键。一直以来,业界都认为只有EUV光刻机才能制造出先进工艺的芯片。可华为和中芯国际偏偏不信这个邪,他们硬是...