国产3nm芯片成了!中科院成功研发全固态DUV光源技术
中科院成功研发全固态DUV光源技术 中国科学院近期成功研发了一项突破性的固态DUV(深紫外)激光技术,这种技术能够发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致。这一技术的成功,为推动半导体工艺的发展至3nm节点奠定了基础。 目前,全球领先的光刻机制造商如ASML、佳能、尼康等,都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术,通...
能生产3nm!中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML...
中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML 快科技3月25日消息,据悉,中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光,可发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致,能将半导体工艺推进至3nm。 据悉,ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术,通过氩、氟气体混合物在高压电场...
中科院成功研发全固态DUV光源技术!
3月24日消息，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。相关论坛已经于本月初被披露在了国际光电工程学会（SPIE）的官网上。目前，全球主要的DUV光刻机制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氩（...
能生产3nm!中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML--快科技...
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中科院成功研发全固态DUV光源技术 中国科学院近期成功研发了一项突破性的固态DUV(深紫外)激光技术,这种技术能够发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致。这一技术的成功,为推动半导体工艺的发展至3nm节点奠定了基础。 目前,全球领先的光刻机制造商如ASML、佳能、尼康等,都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术,...
中科院成功研发全固态DUV光源技术!
3月24日消息,中国科学院(CAS)研究人员成功研发突破性的固态深紫外(DUV)激光,能发射 193 纳米的相干光(Coherent Light),与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。相关论坛已经于本月初被披露在了国际光电工程学会(SPIE)的官网上。 目前,全球主要的DUV光刻机制造商如ASML、Canon和Nikon,均采用氟化氩(ArF)准分...
中国科学院成功研发全固态 DUV 光源技术
中国科学院成功研发全固态 DUV 光源技术 IT之家 3 月 25 日消息，据国际光电工程学会（SPIE）消息，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 nm 的相干光（Coherent Light），该波长目前被用于半导体曝光技术。论文介绍称，深紫外相干光，尤其是 193 nm 波长的光，已成为...
能生产3nm!中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML - 爱...
中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML 据悉,中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光,可发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致,能将半导体工艺推进至3nm。据悉,ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术,通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子,释放...
能生产3nm!中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML...
中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML 据悉,中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光,可发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致,能将半导体工艺推进至3nm。 据悉,ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术,通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子,释放...
国产3nm芯片成了!中科院成功研发全固态DUV光源技术-泡泡网
国产3nm芯片成了!中科院成功研发全固态DUV光源技术 中国科学院近期成功研发了一项突破性的固态DUV(深紫外)激光技术,这种技术能够发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致。这一技术的成功,为推动半导体工艺的发展至3nm节点奠定了基础。 目前,全球领先的光刻机制造商如ASML、佳能、尼康等,都采用了氟化氙(ArF)...
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中科院成功研发全固态DUV光源技术:完全不同于ASML 据悉,中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光,可发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致,能将半导体工艺推进至3nm。 据悉,ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术,通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子,释放...
❗中科院成功研发全固态DUV光源技术,关注关键材料 LBO概念股!
❗中科院成功研发全固态DUV光源技术,关注关键材料 LBO概念股!🔥事件:3月24日消息,中国科学院(CAS)研究人员成功研发突破性的固态深紫外(DUV)激光,能发射 193 纳米的相干光( Coherent Light),与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。 福晶科技 :全球
国产DUV光刻机研制成功,国产DUV光刻机成功问世
然而，中国半导体行业通过不懈的技术积累与创新探索，终于迎来了历史性的转折点——国产DUV光刻机的成功研制，标志着中国在半导体制造技术领域实现了重大飞跃。这款自主研发的DUV光刻机，其核心技术规格令人瞩目：不仅拥有300毫米的大晶圆处理能力，更以248纳米波长的高效光源为基础，实现了65纳米以下的高分辨率，且叠加...
国产3nm实现了?中科院获重大突破,今年开建生产线!
掌握的技术可能面临市场的淘汰。需要知道，这并非芯片的发展目的，最好的方法莫过于实现电子芯片、光子芯片的共同发展。总结 中科院将在今年建立新的生产线，对于3nm芯片的发展而言无疑是一个好消息，这在一定程度上推进国产芯片的技术创新。对于中科院获得的重大突破，你有什么独到的见解吗？
中国科学院成功研发全固态 DUV 光源技术_nm_激光_光束
中国科学院成功研发全固态 DUV 光源技术 IT之家 3 月 25 日消息,据国际光电工程学会(SPIE)消息,中国科学院(CAS)研究人员成功研发突破性的固态深紫外(DUV)激光,能发射 193 nm 的相干光(Coherent Light),该波长目前被用于半导体曝光技术。 论文介绍称,深紫外相干光,尤其是 193 nm 波长的光,已成为半导体光刻不...
国产EUV光刻机光源突破,2024年将量产3nm芯片
中国科学技术大学 申请日 2022 .06 .30本发明提供了一种高重复频率的极紫外辐射光源及EUV光刻机光源一种高功率EUV光刻光源的双脉冲驱动光源中国科学院上海光学精密机械研究所 申请日 2022 .11 .16本发明提供一种高功率EUV光刻光源的双脉冲驱动光源,旨在利用掺Tm全固态激光器的波长在EUV激发效率上与CO2激光器相当...
中国芯的好消息:浸润式DUV光刻机,能制造出3nm芯片
大家心里最挂念的还是EUV光刻机。卡在这一环节，想进军7nm技术就显得无望。而国产EUV量产的目标，眼下还遥不可及。最近，有专业机构进行分析，认为实际上，采用浸润式DUV光刻机同样可以生产出2nm芯片。根据台积电的资料，今年计划量产的“2nm”节点，其最小金属半节距为10nm。实际上，即使使用EUV光刻机，也无法...
重大突破:国产DUV光刻机研制成功!美国啥反应?评论区炸锅了
各位读者朋友们，今天小编要和大家分享一个振奋人心的好消息！就在前几天，咱们国家的工信部正式官宣了一个重大突破 - 国产DUV光刻机研制成功了！这可不是小打小闹，而是实打实的硬核科技突破。在芯片制造这个关键领域，我们终于有了自己的"尖刀"武器。这到底意味着什么？让我们一起来一探究竟！说起这事儿，得从...
中科院DUV光源获突破!
据国际光电工程学会（SPIE）报道，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），该波长目前被用于半导体曝光技术。论文已刊登在spiedigitallibrary.org 据报道而这项技术已在中国实验室中实现。如果光源技术能够扩展，此装置就可以用来制造曝光设备，但...
突破!国产DUV光源技术!3nm! 3月25日... 来自张通社 - 微博
【突破!国产DUV光源技术!3nm!】3月25日消息,据报道,中科院成功研发出了固态DUV(深紫外)激光,可发射193nm的相干光,与目前主流的DUV曝光波长一致,能将国产半导体工艺推进至3nm!据报道,中国科学院的科研团队近日在《国际光电工程学会》期刊公布了全固态深紫外(DUV)激光光源研究成果。这项技术通过创新性的固态激光方案,...