全球首个氮化镓量子光源芯片发布:2026年开启量子互联网新纪元
2025年5月9日，在第九个中国品牌日活动中，电子科技大学周强教授团队正式发布全球首个氮化镓量子光源芯片。这项颠覆性成果突破传统量子光源技术瓶颈，标志着我国在量子信息领域的核心器件研发实现领跑，为2026年量子互联网多场景验证奠定基础。一、技术突破：氮化镓材料重构量子光源范式 （一）材料创新驱动性能跃升 团队创造性地将第三
中国芯突破:氮化镓8英寸晶圆量产,5G基站成本将降30%?
当全球半导体产业陷入“缺芯”焦虑时，中国科研团队用一块8英寸氮化镓晶圆划破了技术封锁的阴云。中电科集团宣布实现氮化镓（GaN）芯片8英寸晶圆量产的消息，犹如一枚深水炸弹，在第三代半导体领域激起千层浪。这场材料革命不仅关乎5G基站体积缩小40%的奇迹，更牵动着新能源汽车充电速度的跨越式飞跃。材料革命：从电子迁...
我国在氮化镓激光芯片领域实现重要突破,仅用180天即实现量产
在氮化镓激光芯片的规模化生产实现重大突破后，我国半导体激光技术的研究团队依然保持着旺盛的探索精神。他们持续深耕，力求在氮化镓激光芯片的性能提升及创新应用方面取得新的突破。这一系列的科研成就，不仅充分展现了我国在半导体激光技术领域的雄厚实力，更预示着未来在这一前沿领域将会有更多引领世界的创新成果诞生。全屏...
中国芯突破:全球首个氮化镓量子光源芯问世,量子互联网时代来临
近日，全球首个氮化镓量子光源芯片在此发布，这场由中国科研团队掀起的技术风暴，正在重新定义量子科技赛道的竞争格局。一、材料突围：从“冷门”到“黑马”的逆袭之路 在量子光源领域，氮化镓原本是个“冷门选手”。过去，国际主流研究都扎堆在氮化硅材料上，就像大家都挤在一条赛道里拼命往前跑。但中国科研团队却选择...
氮化镓量子光源芯片重磅发布,2026 开启应用验证新征程
此次氮化镓量子光源芯片的重大突破，意义非凡。它不仅一举打破了欧美在量子光源材料领域长期以来的垄断局面，更通过精心布局的 37 项核心专利，以及积极参与国际标准制定，成功确立了中国在该领域的话语权。随着 “四川造” 量子光源的产业化进程稳步推进，在未来 5 - 10 年，我国有望迅速崛起，成为全球量子科技产业的...
我国已攻克氮化镓雷达技术,氮化镓芯片如何实现技术创新...
这一具有里程碑意义的装备，正是我国攻克氮化镓雷达技术的初次重要展示。雷达技术变革背后的关键，藏在电子工业的微观世界里。传统的砷化镓芯片发出信号如同纤细小溪，而氮化镓芯片则好似壮阔江河奔涌。一块指甲盖大小的氮化镓芯片可承载的能量密度，竟比砷化镓高5倍有余，这如同为雷达系统打造了一个超级心脏。中国实现雷达...
碳化硅和氮化镓的专利井喷,第三代半导体产业进阶
九峰山实验室氮化镓技术突破 3月24日，九峰山实验室科研团队取得重大突破，成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。这一成果打破国际技术垄断，采用硅基衬底，兼容8英寸主流半导体产线设备，集成硅基CMOS工艺，降低生产成本。材料性能显著提升，兼具高电子迁移率和...
国产氮化镓激光芯片技术突破:打破西方封锁,引领全球半导体产业
其次，这一技术突破将对我国打破西方国家的技术封锁起到重要作用。长期以来，西方国家通过技术封锁和垄断，限制了我国在高端芯片和其他关键领域的发展。而现在，我国成功研发出氮化镓激光芯片，打破了西方国家的技术封锁，使得我国在半导体产业的发展上拥有了更多的自主权和话语权。此外，氮化镓激光芯片的研发成功还将对我国...
“鑫威源”实现高性能氮化镓激光芯片研制及产线通线试产
在同年9月，鑫威源实现了蓝光450nm激光芯片的重大技术突破：阈值电流小于 0.25A，功率大于7W@3.5A，光电转换效率WPE达到45%，芯片综合技术指标处于国内顶尖水平。产品技术可以满足市场对大功率氮化镓半导体激光器的应用要求，为后续的量产奠定了坚实的基础。作为新兴光电子行业的高科技企业，武汉鑫威源电子科技有限公司...
量子科技新飞跃!全球首个氮化镓光源芯片揭秘
（二）万亿级新质生产力的突破口 在当今时代，新质生产力正逐渐成为推动经济发展的核心力量。氮化镓量子光源芯片作为新质生产力的典型代表，其研发成功具有不可估量的价值。从产业带动的角度来看，它不仅打破了国外在该领域长期以来的技术垄断，为我国在量子科技领域赢得了自主发展的空间，更如同一个强大的 “引擎”，...
180天即量产!我国在氮化镓激光芯片领域实现突破_哔哩哔哩_bilibili
180天即量产!我国在氮化镓激光芯片领域实现突破卡尔达瓦里希 立即播放 打开App,流畅又高清100+个相关视频 更多 25.0万 88 00:43 App 短短几十秒,厂房直接灰飞烟灭 1064 4 04:17 App 中国的光刻机技术已获重大突破,预计荷兰阿斯麦尔将在未来3年内破产! 1808 5 03:32 App 寒武纪有没有实力做
破解氮化镓激光器芯片“卡脖子”难题,北大教授历时2年摘下“皇冠...
第三代半导体材料与芯片是我国在相关行业内,很有可能快速打破海外封锁,实现弯道超车的领域。而氮化镓则是第三代半导体中最有代表性的材料。经过两年多的不懈努力,广西飓芯科技有限责任公司在我市建成国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线,并实现投产。 回到两年前,一边是北京大学教授胡晓东带领的博士团队,手握20多年...
180天实现量产!我国芯片领域打破国外垄断,取得重大突破
该系列产品的发布，标志着我国半导体产业的重大技术突破，将对我国高端芯片产业、光电器件以及整个半导体产业链的发展产生深远影响。此前，我国在氮化镓激光芯片领域一直处于落后状态，依赖国外进口。例如，日亚、索尼、夏普等日本企业在氮化镓蓝光、紫外激光芯片方面具有绝对优势； Transphorm、飞利浦等美国公司也对氮化镓绿光和...
“东纳米”携手“西光子”!加速推进国产氮化镓激光器芯片产业化进程
昨天(7月11日),在2023慕尼黑上海光博会上,苏州长光华芯光电技术股份有限公司与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所签署合作协议,双方在联合建设的氮化镓激光器联合实验室基础上成立成果转化和产业化平台公司——苏州镓锐芯光科技有限公司(以下简称"镓锐芯光"),加速推进国产氮化镓激光器芯片产业化进程。
全球首个氮化镓量子光源芯片发布,有望2026年实现多场景技术验证
IT之家从官方获悉，氮化镓量子光源芯片攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次运用了氮化镓材料，使芯片在输出波长范围等关键指标上取得突破，输出波长范围从 25.6 纳米增加到 100 纳米，并可朝着单片集成发展。周强还表示，“氮化镓材料被广泛应用于 LED 灯中。我们现在做的...
世界首次!中国成功研制氮化镓量子光源芯片!
真没想到，氮化镓材料在量子芯片中，竟然产生至关重要的作用。《南华早报》的报道中，还详细介绍了中国团队是怎么做的。首先，科学家在蓝宝石基底上，生长了一层氮化镓薄膜。然后，在薄膜上蚀刻了一个直径为120微米的环，允许激光束中的光粒子绕环运动。接着，将红外激光注入氮化镓薄膜时，然后他们发现一些光粒子被...
氮化镓在5G应用中有哪些技术突破?记者专访国家科学技术进步一等奖...
该项目解决了高品质氮化镓射频功放芯片在5G通信产业化应用方面的技术难题，使得GaN器件在5G移动基站实现规模化应用，支撑我国通讯基站用GaN器件处于国际领先地位。三安集成氮化镓自主工艺技术平台 《中国电子报》：该成果是如何实现研发突破，是否已经取得经济效益？林志东：该项目成果的研发及市场应用与我国5G的规划与商业化...
“氮化镓芯片”打破国外垄断!第一龙头手握万亿订单,将迎来黄金10年
在突破之前，我国在氮化镓激光芯片领域一直处于落后并依赖国外进口的状态。虽然我国镓金属的储量巨大，为...
氮化镓激光芯片终于实现国产,氮化镓正在向快充以外的市场进军
本次发布会的举办,意味着我国在氮化镓激光芯片领域已真正实现突破,打破了被国外企业长期垄断的局面,填补了国内氮化镓激光芯片产业化空白,在我国半导体激光器的发展史上具有里程碑的意义。这是安徽企业在解决“卡脖子”难题中,勇挑重担、创新发展的一个缩影;更是六安市落实省委省政府制造强省战略,加快现代化美好安徽建设...
氮化镓量子光源芯片发布,兆驰股份、士兰微迎发展机遇
氮化镓量子光源芯片发布，兆驰股份、士兰微迎发展机遇 一、行业动态 近日，电子科技大学科研团队发布全球首个氮化镓量子光源芯片。该团队在量子产品研究上取得重大突破，包括此芯片在内的量子产品有望于2026年实现多场景技术验证。以往量子光源芯片多采用氮化硅等材料研制，我国团队首次运用氮化镓材料，在输出波长范围等关键...