全球首个氮化镓量子光源芯片发布:2026年开启量子互联网新纪元
2025年5月9日，在第九个中国品牌日活动中，电子科技大学周强教授团队正式发布全球首个氮化镓量子光源芯片。这项颠覆性成果突破传统量子光源技术瓶颈，标志着我国在量子信息领域的核心器件研发实现领跑，为2026年量子互联网多场景验证奠定基础。一、技术突破：氮化镓材料重构量子光源范式 （一）材料创新驱动性能跃升 团队创造性地将第三
氮化镓量子光源芯片重磅发布,2026 开启应用验证新征程
根据既定规划，在未来两年内，氮化镓量子光源芯片将迎来多场景验证的关键时期。在量子通信网络场景中，要进一步验证其在复杂网络环境下的稳定性和可靠性，确保能够实现大规模、长距离的安全通信；在量子计算原型机场景中，需不断优化芯片与计算系统的协同工作性能，提升计算速度和精度；在量子传感设备场景中，要重点突破环境...
中国芯突破:氮化镓8英寸晶圆量产,5G基站成本将降30%?
当全球半导体产业陷入“缺芯”焦虑时，中国科研团队用一块8英寸氮化镓晶圆划破了技术封锁的阴云。中电科集团宣布实现氮化镓（GaN）芯片8英寸晶圆量产的消息，犹如一枚深水炸弹，在第三代半导体领域激起千层浪。这场材料革命不仅关乎5G基站体积缩小40%的奇迹，更牵动着新能源汽车充电速度的跨越式飞跃。材料革命：从电子迁...
中国芯突破:全球首个氮化镓量子光源芯问世,量子互联网时代来临
近日，全球首个氮化镓量子光源芯片在此发布，这场由中国科研团队掀起的技术风暴，正在重新定义量子科技赛道的竞争格局。一、材料突围：从“冷门”到“黑马”的逆袭之路 在量子光源领域，氮化镓原本是个“冷门选手”。过去，国际主流研究都扎堆在氮化硅材料上，就像大家都挤在一条赛道里拼命往前跑。但中国科研团队却选择...
我国在氮化镓激光芯片领域实现重要突破,仅用180天即实现量产
在氮化镓激光芯片的研发与量产道路上，我国已经迈出了坚实的一步。经过长达180天的持续攻坚，该芯片终于实现了规模化生产，这一重大突破不仅彰显了我国在半导体激光技术领域的领先地位，更预示着未来在此领域有望取得更多的创新与突破。在氮化镓激光芯片的研发与量产之旅中，我国已取得了显著的进展。经过长达180天的持续...
我国已攻克氮化镓雷达技术,氮化镓芯片如何实现技术创新...
这一具有里程碑意义的装备，正是我国攻克氮化镓雷达技术的初次重要展示。雷达技术变革背后的关键，藏在电子工业的微观世界里。传统的砷化镓芯片发出信号如同纤细小溪，而氮化镓芯片则好似壮阔江河奔涌。一块指甲盖大小的氮化镓芯片可承载的能量密度，竟比砷化镓高5倍有余，这如同为雷达系统打造了一个超级心脏。中国实现雷达...
国产氮化镓激光芯片技术突破:打破西方封锁,引领全球半导体产业...
8月26日,安徽格恩半导体有限公司氮化镓激光芯片产品发布会举行。本次格恩半导体共发布了十多款氮化镓激光芯片产品,包括蓝光、绿光及紫光等系列,这些产品关键性能指标已达到国外同类产品的先进水平。 随着安徽格恩半导体有限公司成功研发出国产半导体氮化镓激光芯片,我国在半导体领域获得了一项重大技术突破。这一突破将对我国的...
碳化硅和氮化镓的专利井喷,第三代半导体产业进阶
九峰山实验室氮化镓技术突破 3月24日，九峰山实验室科研团队取得重大突破，成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。这一成果打破国际技术垄断，采用硅基衬底，兼容8英寸主流半导体产线设备，集成硅基CMOS工艺，降低生产成本。材料性能显著提升，兼具高电子迁移率和...
“鑫威源”实现高性能氮化镓激光芯片研制及产线通线试产
在同年9月，鑫威源实现了蓝光450nm激光芯片的重大技术突破：阈值电流小于 0.25A，功率大于7W@3.5A，光电转换效率WPE达到45%，芯片综合技术指标处于国内顶尖水平。产品技术可以满足市场对大功率氮化镓半导体激光器的应用要求，为后续的量产奠定了坚实的基础。作为新兴光电子行业的高科技企业，武汉鑫威源电子科技有限公司...
180天即量产!我国在氮化镓激光芯片领域实现突破
国产半导体氮化镓激光芯片昨天在六安实现量产,距离从实验室里诞生,仅用了180天,意味着我国在氮化镓激光芯片领域实现突破。 氮化镓是第三代半导体材料,具有直接发光、高效率、低成本、易集成的优势,制成的下一代光电子芯片主要应用于激光显示、工业加工、激光通讯...
中国“第三代”半导体,拿下世界第一,国内半导体产业即将崛起!
他们的回流填补了中国“关键工艺”的技术短板，同时带来了国际领先的经验。你仔细想想，光靠设备，我们完全有钱买，但没有人来“操刀手术”，技术这个“瓷器活”玩不转。这些顶尖人才无疑变成了中国芯片产业起飞的加速器。从吴锋教授团队的突破，到市场上的全面开花，再到长光华芯的激光芯片创新，中国氮化镓的故事绝
破解氮化镓激光器芯片“卡脖子”难题,北大教授历时2年摘下“皇冠...
第三代半导体材料与芯片是我国在相关行业内,很有可能快速打破海外封锁,实现弯道超车的领域。而氮化镓则是第三代半导体中最有代表性的材料。经过两年多的不懈努力,广西飓芯科技有限责任公司在我市建成国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线,并实现投产。 回到两年前,一边是北京大学教授胡晓东带领的博士团队,手握20多年...
180天实现量产!我国芯片领域打破国外垄断,取得重大突破
该系列产品的发布，标志着我国半导体产业的重大技术突破，将对我国高端芯片产业、光电器件以及整个半导体产业链的发展产生深远影响。此前，我国在氮化镓激光芯片领域一直处于落后状态，依赖国外进口。例如，日亚、索尼、夏普等日本企业在氮化镓蓝光、紫外激光芯片方面具有绝对优势； Transphorm、飞利浦等美国公司也对氮化镓绿光和...
“东纳米”携手“西光子”!加速推进国产氮化镓激光器芯片产业化进程
昨天(7月11日),在2023慕尼黑上海光博会上,苏州长光华芯光电技术股份有限公司与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所签署合作协议,双方在联合建设的氮化镓激光器联合实验室基础上成立成果转化和产业化平台公司——苏州镓锐芯光科技有限公司(以下简称"镓锐芯光"),加速推进国产氮化镓激光器芯片产业化进程。
世界首次!中国成功研制氮化镓量子光源芯片!
真没想到，氮化镓材料在量子芯片中，竟然产生至关重要的作用。《南华早报》的报道中，还详细介绍了中国团队是怎么做的。首先，科学家在蓝宝石基底上，生长了一层氮化镓薄膜。然后，在薄膜上蚀刻了一个直径为120微米的环，允许激光束中的光粒子绕环运动。接着，将红外激光注入氮化镓薄膜时，然后他们发现一些光粒子被...
全球首个氮化镓量子光源芯片发布,有望2026年实现多场景技术验证
IT之家从官方获悉，氮化镓量子光源芯片攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次运用了氮化镓材料，使芯片在输出波长范围等关键指标上取得突破，输出波长范围从 25.6 纳米增加到 100 纳米，并可朝着单片集成发展。周强还表示，“氮化镓材料被广泛应用于 LED 灯中。我们现在做的...
“氮化镓芯片”打破国外垄断!第一龙头手握万亿订单,将迎来黄金10年
在突破之前，我国在氮化镓激光芯片领域一直处于落后并依赖国外进口的状态。虽然我国镓金属的储量巨大，为...
量子科技新飞跃!全球首个氮化镓光源芯片揭秘
（二）万亿级新质生产力的突破口 在当今时代，新质生产力正逐渐成为推动经济发展的核心力量。氮化镓量子光源芯片作为新质生产力的典型代表，其研发成功具有不可估量的价值。从产业带动的角度来看，它不仅打破了国外在该领域长期以来的技术垄断，为我国在量子科技领域赢得了自主发展的空间，更如同一个强大的 “引擎”，...
氮化镓在5G应用中有哪些技术突破?记者专访国家科学技术进步一等奖...
该项目解决了高品质氮化镓射频功放芯片在5G通信产业化应用方面的技术难题，使得GaN器件在5G移动基站实现规模化应用，支撑我国通讯基站用GaN器件处于国际领先地位。三安集成氮化镓自主工艺技术平台 《中国电子报》：该成果是如何实现研发突破，是否已经取得经济效益？林志东：该项目成果的研发及市场应用与我国5G的规划与商业化...
我国科研团队成功研制出国际领先的氮化镓量子光源芯片
近日，电子科技大学信息与量子实验室携手清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所，共同创举，在国际上首次成功研制出氮化镓量子光源芯片。这一重大进展不仅标志着电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台在量子科技领域又迈出了坚实的一步，更彰显了我国在量子光源芯片领域的国际领先地位。相关研究成果已在...