全球首颗!复旦团队研发二维-硅基混合架构闪存芯片
世界首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。左侧为半导体晶体管从原型器件到第一款CPU。右侧为二维闪存器件结构、8英寸流片CMOS晶圆、二维-硅基混合架构闪存芯片。 创新集成工艺 实现二维材料与CMOS融合 为了找到这条“正确的路”,团队前期经历了5年的探索试错,在单个器件、集成工艺等多点协同攻关。团队的第一项集成工作
复旦大学科研团队研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片-中新网
中新网上海10月9日电 (记者 陈静)继“破晓(PoX)”皮秒闪存器件问世后,复旦大学在二维电子器件工程化道路上再获里程碑式突破。记者9日获悉,复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队率先研发出全球首颗二维-硅基混合架构芯片。 这一突破攻克了新型二维信息器件工程化的关键难...
全球首颗全新架构闪存芯片问世,国产设备弯道超车新契机
一块指甲盖大小的芯片，可能正悄然改写全球半导体的权力地图。2025年10月8日，复旦大学周鹏-刘春森团队在《自然》发表论文，宣布全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片“长缨（CY-01）”成功流片。这不是又一次实验室里的“纸面突破”，而是一次真正打通从原子材料到功能芯片全链条的工程化跨越。这项技术首次将400皮秒级...
全球首颗全新架构闪存芯片问世,国产设备性能跃升在即
全球首颗全新架构闪存芯片问世，国产设备性能跃升在即 实验室的灯光下，原子级的二维材料正被精准“嫁接”到硅基电路上——2025年10月8日，复旦团队发布的“长缨”芯片，将存储速度推进至20纳秒，能耗压至0.644皮焦耳。这不是又一次微小改进，而是全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片的诞生，标志着中国在存储器底层...
长江存储推出全球首款128层QLC闪存,引领存储技术新时代
这一切得益于“存储细胞”的持续扩容，以及独特的Xtacking架构布局。近日，长江存储率先发布了这款128层闪存芯片“X2-6070”，其存储密度、传输速度以及单颗闪存芯片容量均达到了业界领先水平。❒ QLC技术的突破与优势 QLC技术继承了TLC的大容量特性，并在密度上实现新的突破，扩大存储容量。❒ Xtacking架构和产品...
硬核突破!中国发明世界最快闪存,或彻底终结硬盘和内存!
更惊人的是，这一突破让非易失性存储首次超越了同等尺寸下的易失性存储，未来电脑可能不再需要区分内存和硬盘，AI大模型也有望实现本地部署。这是中国科学家在芯片底层物理机制上的重大创新，有望为我国在存储技术领域实现弯道超车提供"底气"。然而就在10年前，人们还普遍认为闪存速度存在不可逾越的理论上限，谁能...
疫情难阻“中国芯”崛起!长江存储研发成功全球首款128层QLC闪存
4月13日，长江存储最新128层QLC 3D NAND闪存，宣布在武汉光谷研发成功，这是全球首款128层QLC闪存。目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。同时，该公司发布了两款128层3D NAND芯片产品，分别为容量1.33Tb的128层QLC 3D NAND闪存和512Gb的128层TLC 3D NAND闪存(型号：X2-9060...
中国出新王炸,美国愣住:三年的制裁,养出了个“怪物”
这个看起来温文尔雅的技术专家，却在存储芯片领域掀起了一场真正的技术革命。当时，全球的3D NAND闪存技术主要掌握在国外巨头手中。2013年三星率先实现商业化量产，接着Intel和美光在2015年推出3D XPoint技术，东芝也在2016年搞出了48层3D NAND的大规模生产。面对这些技术壁垒，霍宗亮和他的团队选择了一条完全不同的...
存储芯片第一龙!敲开国产主控芯片大门
江波龙从"贴牌代工"转型为存储模组巨头，自研主控芯片WM6000出货超千万颗；兆易创新用NOR Flash芯片拿下全球前三，车规级产品打入比亚迪、蔚来供应链。就连曾被美国打压的长江存储，也在2024年实现232层技术量产，良品率突破百分之九十。成绩背后，是中国工程师们无数个不眠之夜，有人连续两年春节在实验室度过，有人...
中国首款64层三维闪存芯片光谷量产! - 腾讯云开发者社区-腾讯云
中国首款64层三维闪存芯片光谷量产! 9月2日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存芯片,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。 据悉,这是我国自主研发生产的首款64层3D NAND闪存芯片,也是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品...
武汉发布全球首款128层QLC存储芯片,独拥三个“最” - 光明网
今天上午长江存储最新128层QLC 3D NAND闪存宣布在武汉光谷研发成功这是全球首款128层QLC闪存 目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。3D NAND即三维闪存技术。过去，人们用到的存储芯片是平面的，相当于地面停车场，而三维闪存芯片是立体的，就像是立体停车场。同样的“占地面积”之下，立体
复旦实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片,有望大幅加快产业化
从半导体晶体管诞生到全球第一颗CPU,用了24年。复旦大学集成电路与微纳电子创新学院、集成芯片与系统全国重点实验室周鹏-刘春森团队,发表迄今最快二维闪存原型器件成果仅仅半年后,实现了全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。 从颠覆性创新走向系统级应用,这一原本需要数十年的漫漫征途,被大幅压缩。
中电鑫龙新增「闪存」概念_财富号_东方财富网
• 技术架构创新:中电鑫龙的磁光电存储技术采用全球首创的磁+光+电混合存储架构,这种架构使得数据持久性达100年,能耗比传统硬盘降低80%,单机架容量达1.2PB,为闪存芯片技术的发展提供了新的方向。 • 核心算法自主研发:公司自主研发了纠删码核心算法和存储专用文件系统,这些核心技术的自主可控,不仅提升了数据存储的...
中国首款!这种64层闪存在光谷量产
这是我国自主研发生产的首款64层3D NAND闪存,也是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高的存储密度。 长江存储核心厂区近况(企业提供) 为大国造 " 芯 ",是长江存储的使命。2016年12月,国家存储器基地启动建设。短短两年,存储器基地一号芯片生产厂房封顶、国内首颗自主研发32层三维...
GMIF2025展台回顾!存储产业链优秀创新成果集中亮相
展台同时通过屏幕展示了YRS820PCIe5.0消费级主控（大陆首颗量产的RISC-V架构主控）的性能测试数据，以及与长江存储等国产厂商联合打造的全国产化SSD生态方案，全面呈现了公司在存储技术创新和产业化方面的综合实力。联芸科技（杭州）股份有限公司 联芸科技作为全球三大固态硬盘（SSD）控制芯片及解决方案提供商之一，业务已...
全球首款128层QLC闪存在汉发布 - 武汉市人民政府门户网站
长江存储128层QLC闪存 4月13日,长江存储最新128层QLC 3D NAND闪存,宣布在武汉光谷研发成功,这是全球首款128层QLC闪存。目前,该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。 “这款产品已经达到全球主流产品的位置,表明中国芯片产品在国际市场已由跟跑进入并跑时期。”华中科技大学计算机学院院长...
长江存储128层3D NAND闪存研发成功 “中国芯”实现跨越式发展...
4月13日，紫光集团旗下长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这是全球首款128层QLC规格的3D NAND闪存芯片，也是我国首款128层3D NAND闪存芯片。长江存储预计，128层产品今年底到明年上半年量产，维持明年单月10万片产能目标不变。“存储...
就在刚刚!葛店企业斩获金奖!
峰会期间,2025年度闪存风云榜正式发布,泽石科技全新一代自研PCIe 5.0主控芯片“盘古”荣获2025年度闪存控制器企业金奖,奖项旨在表彰存储行业具有领先地位以及强大发展潜力的企业和产品,同时助力存储行业的发展。 本次获奖的全新一代自主研发PCIe 5.0主控芯片“盘古”,主要面向数据中...