光刻胶领域,我国取得新突破
我国光刻胶领域取得新突破。据科技日报，光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。
光刻机龙头股2025年最新排名!国产替代加速,这些企业已成全球技术...
传统光刻技术：上海微电子攻克的28nm光刻机即将交付纳米压印技术：杭州璞璘科技的PL-SR纳米压印光刻机，线宽精度<10nm电子束光刻技术：浙江大学研发的"羲之"电子束光刻机，精度达0.6nmEUV光源技术：哈工大研发的LDP光源系统，采用DPP方案，功率突破30瓦 这种多元技术路线并进的策略，使中国光刻机产业能够在外部技术...
国产光刻胶技术突破与商业化并驾齐驱,能否撼动国际垄断?挑战与...
2025年还未到，国内光刻胶领域就传出了令人振奋的消息——一种全新的光刻胶制备方法在实验室获得突破。这项研究不仅被刊登在国际权威期刊《自然—化学工程》上，更有望推动我国半导体产业迈上新台阶。而多家涉足光刻胶业务的上市企业业绩预告悉数披露，市场表现普遍亮眼。这是否意味着国产半导体光刻胶即将打破国外...
2025年光刻胶产业的突破:四大企业引领国产逆袭
同样值得关注的还有容大感光。在LCD光刻胶领域稳居国内领先地位的同时，他们也积极进军半导体光刻胶市场。经过两年的研发投入，i线光刻胶已稳定供货，KrF光刻胶也顺利通过客户验证，即将实现量产。2024年半导体光刻胶业务收入较前一年翻了一番，达到1.5亿元。【 晶瑞电材的成就 】晶瑞电材在光刻胶领域也表现出强...
光刻胶突破!国产芯片材料迎新阶段
光刻胶突破！国产芯片材料迎新阶段 芯片制造。卡脖子环节。正被逐一击破。近日，迦南科技子公司上海六迦承接的国家某重点实验室光刻胶生产线顺利完成建设，正式启动整线联调。这标志着我国在高端光刻胶这一半导体行业关键材料领域，成功实现了从技术研发到产业化落地的重要跨越。光刻胶是什么？它是微电子技术中微细...
日本断供反转!国产28nm光刻胶量产,打破日本技术不可超越的神话
另外，市场需求和政策支持也很关键，2025年全球光刻胶市场规模突破120亿元，国内晶圆厂扩产催生巨大需求，但日本信越因地震导致产能受损，被迫对中小晶圆厂停供KrF光刻胶。这一缺口恰好成为国产产品的“试验场”，国内厂商通过定制化服务与快速响应，迅速获得验证机会，不少晶圆厂的国产光刻胶使用率从不足5%提升至20%...
...芯片制造关键材料上实现重大突破!清华大学研发的碲元素光刻胶...
中国科学家在芯片制造关键材料上实现重大突破！清华大学研发的碲元素光刻胶技术，有望打破国外长达数十年的垄断 近来，一项名为聚碲氧烷的新材料，在实验室中展现出惊人性能，让中国半导体行业看到曙光。 而在这场技术产业化的竞赛中，鼎龙股份和南大光电成为最受瞩目的选手。光刻胶是芯片制造过程中的核心材料，相当...
中国光刻胶行业突破与未来:政策、企业与市场的新动向
国内企业如南大光电等 通过研发创新，取得ArF等光刻胶的重大突破。南大光电、容大感光等企业在国家政策扶持下，取得了显著进展，成为光刻胶领域的重要突破者。他们不仅成功研发出高性能的光刻胶产品，还在生产技术、工艺控制等方面取得了重要突破，为中国半导体产业的发展贡献了力量。▲ 南大光电 技术进展：成功建立...
来自清华!国产EUV光刻胶重大突破,打破日本垄断!
根据7月24日清华大学官宣消息，清华大学化学系许华平教授团队开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶。这个新发现不仅解决了现有EUV光刻胶的局限性，还为下一代EUV光刻材料的发展指明了方向。具体来说，清华许华平团队基于此前研发的聚碲氧烷材料，通过以下设计实现了两大突破：其一、碲元素的高效吸收。碲（Te）具备除...
国产EUV光刻胶实现突破:清华团队研发新技术,打破垄断大有希望
四、突破垄断的“中国时间表”当前全球半导体产业深度重构，EUV光刻胶国产化已进入加速度：- 短期（1-2年）：完成产线适配与稳定性测试，推动PTeO在中试线验证；- 中期（3-5年）：联合头部厂商实现吨级量产，切入国内晶圆厂供应体系；- 长期：依托材料创新反哺光刻技术，与国产EUV光刻机（如LDP路线样机）形成...
光刻破局 国产突围新篇章 迦南科技点亮芯片材料之光
近日。行业迎来一个重磅消息。迦南科技子公司上海六迦承接的国家某重点实验室光刻胶生产线。已顺利完成建设。并正式启动整线联调。这标志着我国在高端光刻胶这一半导体行业关键材料领域。成功实现了从技术研发到产业化落地的重要跨越。为突破芯片制造“卡脖子”环节提供了坚实保障。🌟 产线突破：超净环境与极致控制 光刻胶
国产EUV光刻胶技术获突破,容大感光、南大光电受益国产替代
**南大光电（300346）**则在ArF光刻胶领域取得重要突破。公司自主研发的ArF光刻胶已通过部分客户认证，开始小批量供货。南大光电依托南京大学的科研优势，在光刻胶材料设计、纯化工艺等方面具有独特技术积累。随着产能逐步释放和产品性能持续优化，公司ArF光刻胶业务有望成为新的增长点。三、产业链协同发展机遇 光刻胶...
从橡胶助剂到光刻胶王者,彤程新材的跨界传奇_财富号_东方财富网
在半导体行业这片充满挑战与机遇的 “战场” 上,光刻胶作为制造芯片的关键材料,一直以来都是技术壁垒极高的领域,长期被国外企业所垄断 ,国产替代的道路充满荆棘。而就在这样的大环境下,彤程新材却如一匹黑马,强势崛起,成为了国内半导体光刻胶领域的佼佼者,市占率国内第一,堪称半导体领域的小寡头,其发展历程堪称一...
重大突破!国产光刻胶通过量产验证
9月15日，据“中国光谷”消息，近日光谷企业在半导体专用光刻胶领域实现重大突破：武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。光刻胶：半导体制造核心材料 光刻胶，也被称为光致抗蚀剂（photoresist），它的作用是在光刻过程...
打破海外垄断,光刻机龙头,技术全国唯一!
对比看，2020年至2024年，公司平均研发费用率为11.93%，高于彤程新材、南大光电等，构建了研发护城河。然而，目前南大光电、上海新阳、彤程新材也在布局光刻胶，这时候的关键在于：谁能更快实现产品、订单落地，而非仅仅停留在实验室。投资者活动信息显示，鼎龙股份已有2款光刻胶获得国内晶圆厂订单，2025年第一季度...
国产EUV光刻胶重大突破! 竟来自中国这所高校 - 与非网
竟来自中国这所高校 近日,从清华大学官网获悉,日前,清华大学许华平团队研发出基于聚碲氧烷的新型极紫外光刻胶,通过碲元素高吸收特性和主链断裂机制,同步实现高灵敏度、分子级均一性和小尺寸单元,突破当前光刻胶技术瓶颈,为7nm以下半导体制造提供关键材料解决方案,成果发表于《科学进展》。
2025国产EUV光刻机三大突破
2025年国产EUV光刻机在光源、光学、精密控制三大领域实现关键突破,加快了高端芯片制造自主化的脚步,标志着我国在光刻机核心技术上取得重大进展。 ● 光源技术突破(具体内容及2025年进展) 国产EUV光刻机用了创新的激光诱导放电等离子体(LDP)技术,靠高压放电让锡蒸气发出13.5nm的极紫外光。这项技术能量转换效率达4.5%...
光刻胶技术突破:南大光电引领半导体材料新征程_财富号_东方财富网
在半导体产业风云变幻的大舞台上,光刻胶技术宛如一颗璀璨的明珠,其每一次的突破都牵动着产业界的神经。近期光刻胶技术的最新突破报道,让我们的目光再次聚焦到了在该领域深耕细作的南大光电,它正以坚定的步伐引领着半导体材料的新征程。 光刻胶技术突破:产业曙光初现 ...
国产光刻胶技术实现关键突破,头部企业全力冲刺全球高端市场变革节点
华东理工突破光刻胶新技术，国产企业加速追赶全球巨头影响几何？华东理工大学和美国约翰霍普金斯大学的研究团队最近搞了个大新闻他们拿下了一项全新的光刻胶制备方案，不光能让薄膜变薄变厚随心掌控，对高速光刻芯片卡脖子的关键工艺也有了实质突破。国内不少光刻胶公司好消息不断，比如上海新阳的KrF光刻胶已经大批量...